[發(fā)明專利]COA型陣列基板及其制作方法

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• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108873519A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設計）人: 李蘭艷
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種COA型陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板(10)、設于所述襯底基板(10)上的TFT層(20)、設于所述TFT層(20)上的抗反射層(30)以及設于所述抗反射層(30)上的彩色光阻層(40)。

2.如權利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述抗反射層(30)包括共混型材料、主鏈型材料或接枝型材料。

3.如權利要求2所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述接枝型材料包括聚合物主鏈及接枝于所述聚合物主鏈上的多個吸光基團。

4.如權利要求3所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述吸光基團包括吸收波長為200-400um的光線的吸光材料。

5.如權利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述TFT層(20)包括設于所述襯底基板(10)上的第一金屬層(21)、設于所述第一金屬層(21)上的絕緣層(22)、設于所述絕緣層(22)上的有源層(23)以及設于所述有源層(23)上的第二金屬層(24)。

6.如權利要求5所述的COA型陣列基板，其特征在于，還包括設于所述彩色光阻層(40)上的保護層(50)以及設于所述保護層(50)上的像素電極(60)，所述像素電極(60)通過一貫穿抗反射層(30)、彩色光阻層(40)及保護層(50)的過孔(51)與第二金屬層(24)接觸。

7.如權利要求6所述的COA型陣列基板，其特征在于，所述襯底基板(10)的材料為玻璃；所述第一金屬層(21)和第二金屬層(24)的材料均為鋁、銅、鋁合金及銅合金中的一種；所述抗反射層(30)的厚度為1-5um；所述彩色光阻層(40)包括紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻；所述保護層(50)的材料為氮化硅、氧化硅或有機透明光阻。

8.一種COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成TFT層(20)；

步驟S2、在所述TFT層(20)上形成抗反射層(30)；

步驟S3、在所述抗反射層(30)上形成彩色光阻層(40)。

9.如權利要求8所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S1具體的步驟為：通過物理氣相沉積在所述襯底基板(10)上形成一層第一金屬膜層并對該第一金屬膜層進行圖案化形成第一金屬層(21)；通過蒸鍍在第一金屬層(21)上形成絕緣層(22)；通過化學氣相沉積在所述絕緣層(22)上形成一層第二金屬膜層并對該第二金屬膜層進行圖案化形成有源層(23)；通過物理氣相沉積在所述有源層(23)上形成一層第三金屬膜層并對該第三金屬膜層進行圖案化形成第二金屬層(24)；所述第一金屬層(21)、絕緣層(22)、有源層(23)以及第二金屬層(24)構成TFT層(20)。

10.如權利要求8所述的COA型陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括步驟S4、通過蒸鍍在所述彩色光阻層(40)上形成保護層(50)，并通過等離子體對抗反射層(30)、彩色光阻層(40)及保護層(50)進行干蝕刻，得到一貫穿抗反射層(30)、彩色光阻層(40)及保護層(50)的過孔(51)；

步驟S5、在所述保護層(50)上形成像素電極(60)；所述像素電極(60)通過該過孔(51)與第二金屬層(24)接觸。