[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201810678335.7
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN108878324B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 網倉學;日向壽樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種用于在處理容器內獨立且面內均勻地對多個基板進行處理的基板處理裝置。晶圓處理裝置包括：處理容器，其用于氣密地容納晶圓；載置臺，其設有多個，該載置臺用于在處理容器內載置晶圓；處理氣體供給部，其用于自載置臺的上方朝向晶圓供給處理氣體；排氣機構，其用于對處理容器內進行排氣；分隔壁，其配置在處理容器內，該分隔壁以與各載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍載置臺；以及內壁，其為圓筒形狀，該內壁配置在處理容器的底面且以與載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍該載置臺，在內壁上形成有狹縫，經由狹縫進行處理空間內的處理氣體的排氣。在內壁上設有使處理空間內的處理氣體以不直接流入狹縫的方式迂回的分隔板。

本申請是申請號為201510993622.3，申請日為2015年12月25日，發明創造名稱為“基板處理裝置”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種使用規定的處理氣體進行基板處理的基板處理裝置。

背景技術

近年來，隨著半導體器件的精細化，替代干蝕刻、濕蝕刻這樣的以往的蝕刻技術而使用被稱作化學氧化物去除(Chemical Oxide Removal：COR)處理的、能夠進行更精細化蝕刻的方法。

COR處理是如下那樣的處理：在被保持為真空的處理容器內，例如對作為被處理體的半導體晶圓(以下，稱作“晶圓”)供給處理氣體，使這些氣體和例如形成在晶圓上的膜發生反應而生成生成物。通過在下一工序中對利用COR處理在晶圓表面上生成的生成物進行加熱處理而使該生成物升華，由此將晶圓表面的膜去除。

這樣的COR處理是在一張張地對晶圓進行處理的單片式的處理裝置中進行的，但近年來，為了提高生產率，有時也使用對多張晶圓同時進行處理的處理裝置(專利文獻1)。

在專利文獻1的處理裝置中，為了防止在多張、例如兩張晶圓表面上處理氣體的流動變得不均勻，提出一種設置用于將處理容器內分隔成處理空間和排氣空間的擋板的方案。

專利文獻1：日本特開2007－214513號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，近年來，晶圓處理的均勻性的要求變得嚴格，在所述那樣的對兩張晶圓同時進行處理的處理裝置中，難以確保在各晶圓表面上的處理氣體的均勻性。

另外，在對兩張晶圓同時進行處理的處理裝置中，還存在欲以獨立的制程對各晶圓并行地進行處理這樣的要求，并還期望相對于各晶圓形成獨立的處理空間。

本發明是鑒于所述點而做出的，其目的在于，在處理容器內對多個基板獨立且面內均勻地進行處理。

用于解決問題的方案

為了實現所述目的，本發明提供一種基板處理裝置，其用于對基板進行處理，其特征在于，該基板處理裝置包括：處理容器，其用于氣密地容納基板；載置臺，其設有多個，該載置臺用于在所述處理容器內載置基板；處理氣體供給部，其用于自所述載置臺的上方朝向所述載置臺供給處理氣體；排氣機構，其用于對所述處理容器內進行排氣；分隔壁，其配置在所述處理容器內，該分隔壁以與各所述載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍各所述載置臺；升降機構，其用于使所述分隔壁在退避位置與基板處理位置之間升降；以及內壁，其為圓筒形狀，該內壁配置在所述處理容器的底面且以與所述載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍該載置臺，通過使所述分隔壁移動到所述基板處理位置，從而由所述分隔壁和所述內壁形成基板的處理空間，在所述內壁上形成有狹縫，經由所述狹縫進行所述處理空間內的處理氣體的排氣，在所述內壁上設有使所述處理空間內的處理氣體以不直接流入所述狹縫的方式迂回的分隔板。