[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810678335.7 | 申請日: | 2015-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN108878324B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 網倉學;日向壽樹 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其用于對基板進行處理,其特征在于,
該基板處理裝置包括:
處理容器,其用于容納基板;
載置臺,其用于在所述處理容器內載置基板;
處理氣體供給部,其用于向所述處理容器內供給處理氣體;
排氣機構,其用于排出所述處理容器內的處理氣體;以及
內壁,其包圍所述載置臺,
其中,所述內壁具有狹縫和分隔板,
所述分隔板構成為使所述處理容器內的處理氣體在通過由所述分隔板限定的迂回路之后從所述狹縫排出,
所述內壁配置在比所述載置臺的基板載置面靠下方的位置,
所述狹縫在所述內壁的側面的比所述載置臺的載置面靠下方的位置等間隔地設有多個,
所述分隔板配置在使得不能自所述內壁的中心看到所述狹縫的位置。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于
所述分隔板具有與所述內壁的內側面平行的圓弧形狀,
所述處理容器內的處理氣體沿著所述內壁的周向在所述分隔板與所述內壁的內側面之間流動。
3.一種基板處理裝置,其用于對基板進行處理,其特征在于,
該基板處理裝置包括:
處理容器,其用于容納基板;
載置臺,其設有多個,該載置臺用于在所述處理容器內載置基板;
處理氣體供給部,其用于向所述處理容器內供給處理氣體;
排氣機構,其用于排出所述處理容器內的處理氣體;
分隔壁,其配置在所述處理容器內,該分隔壁以與各所述載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍各所述載置臺;
升降機構,其用于使所述分隔壁在退避位置與基板處理位置之間升降;以及
內壁,其配置在所述處理容器的底面且以與所述載置臺的外周隔開間隔的方式獨立地包圍該載置臺,
通過使所述分隔壁移動到所述基板處理位置,從而由所述分隔壁和所述內壁形成基板的處理空間,
在所述內壁上形成有狹縫,
經由所述狹縫進行所述處理空間內的處理氣體的排氣,
所述內壁配置在比所述載置臺的基板載置面靠下方的位置,所述狹縫配置在所述內壁的側面的比所述載置臺的載置面靠下方的位置,通過將所述內壁固定到所述處理容器的底部來形成所述狹縫。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





