[發明專利]三維半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 201810677598.6
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN109148462A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 尹壯根;黃盛珉;任峻成;具教一;趙厚成;金善煐;柳鐵;尹在璇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;趙南

1.一種三維半導體存儲器裝置，包括：

襯底；以及

第一溝道組、第二溝道組和第三溝道組，它們各自在襯底上在第一方向上排列，

所述第一溝道組至所述第三溝道組沿著與所述第一方向交叉的第二方向在所述襯底上彼此間隔開，

所述第一溝道組、所述第二溝道組和所述第三溝道組中的每一個包括在垂直于所述襯底的頂表面的第三方向上延伸的多個豎直溝道，

所述第一溝道組和所述第二溝道組在所述第二方向上彼此鄰近，并且在所述第二方向上以第一距離間隔開，并且

所述第二溝道組和所述第三溝道組在所述第二方向上彼此鄰近，并且在所述第二方向上以小于所述第一距離的第二距離間隔開。

2.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器裝置，還包括：第一電極結構、第二電極結構和第三電極結構，它們沿著所述第一方向延伸，并且沿著所述第二方向彼此間隔開，其中

所述第一電極結構、所述第二電極結構和所述第三電極結構中的每一個包括沿著所述第三方向堆疊在彼此的頂部上的多個電極，并且

所述第一溝道組的豎直溝道、所述第二溝道組的豎直溝道和所述第三溝道組的豎直溝道分別穿過所述第一電極結構、所述第二電極結構和所述第三電極結構。

3.根據權利要求2所述的三維半導體存儲器裝置，其中，所述第一電極結構、所述第二電極結構和所述第三電極結構沿著所述第二方向以相等距離間隔開。

4.根據權利要求2所述的三維半導體存儲器裝置，其中，所述第一電極結構、所述第二電極結構和所述第三電極結構在所述第二方向上具有實質上相同的寬度。

5.根據權利要求2所述的三維半導體存儲器裝置，還包括：

所述第一電極結構上的第一上電極結構，所述第一上電極結構包括沿著所述第三方向堆疊的多個上電極；以及

多個上豎直溝道，它們穿過所述第一上電極結構并且對應地連接至穿過所述第一電極結構的豎直溝道，其中

所述多個上豎直溝道中的鄰近的各個上豎直溝道的上部之間的距離小于穿過所述第一電極結構的鄰近的各個豎直溝道的上部之間的距離。

6.根據權利要求5所述的三維半導體存儲器裝置，其中，所述第一電極結構和所述第一上電極結構在所述第二方向上具有實質上相同的寬度，

所述豎直溝道之一同與其鄰近的第一電極結構的第一側壁以第一水平距離間隔開，并且

所述上豎直溝道之一同與其鄰近的第一上電極結構的第一側壁以第二水平距離間隔開，并且

所述第二水平距離與所述第一水平距離不同。

7.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器裝置，其中，

所述豎直溝道包括沿著所述第二方向按次序排列的第一豎直溝道、第二豎直溝道和第三豎直溝道，

第一豎直溝道的下部、第二豎直溝道的下部和第三豎直溝道的下部以第一下距離彼此間隔開，并且

所述第一豎直溝道的上部和所述第二豎直溝道的上部以第一上距離間隔開，所述第二豎直溝道的上部和所述第三豎直溝道的上部以小于所述第一上距離的第二上距離間隔開，并且所述第一上距離和所述第二上距離小于所述第一下距離。

8.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器裝置，還包括：多個第三溝道組，其中，

所述襯底包括第一邊緣區、第二邊緣區和所述第一邊緣區與所述第二邊緣區之間的中心區，

所述第一溝道組和所述第二溝道組設置在所述第一邊緣區和所述第二邊緣區中的每一個上，并且

所述多個第三溝道組包括所述第三溝道組并且位于所述中心區上，

所述多個第三溝道組以小于所述第二距離的第三距離彼此間隔開。

9.根據權利要求8所述的三維半導體存儲器裝置，其中，

所述多個第三溝道組中的每一個包括多個第三豎直溝道，

所述多個第三溝道組沿著所述第一方向排列，并且

所述第一溝道組包括在相對于所述第一方向和所述第二方向的斜線方向上排列的多個第一豎直溝道。