[發明專利]一種高導熱封裝基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201810675472.5
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108575048A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 張成立;徐光龍;王強
• 申請（專利權）人: 寧波華遠電子科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司 33102
• 代理人: 袁忠衛

1.一種高導熱封裝基板，其特征在于：所述高導熱封裝基板包括：

第一層線路，加成電鍍在銅基板上表面，在第一層線路上加成電鍍有第一導通銅柱和第一散熱銅柱；

第一絕緣層，壓合在銅基板的上表面，覆蓋在第一層線路上；

第二層線路，加成電鍍在第一絕緣層的上表面，在第二層線路上加成電鍍有第二導通銅柱和第二散熱銅柱；

第二絕緣層，壓合在第一絕緣層的上表面，覆蓋在第二層線路上；

第三層線路，加成電鍍在第二絕緣層的上表面；

其中第一絕緣層、第二絕緣層壓合后需研磨使第一導通銅柱、第一散熱銅柱分別露出第一絕緣層與第二層線路相連接，第二導通銅柱和第二散熱銅柱分別露出第二絕緣層與第三層線路相連接，銅基板在第三層線路加成后被蝕刻。

2.根據權利要求1所述的高導熱封裝基板，其特征在于：所述銅基板的上表面的金屬保護層為銅鎳層，導通銅柱的直徑最小為0.05mm。

3.根據權利要求1所述的高導熱封裝基板，其特征在于：所述第一散熱銅柱和第二散熱銅柱為同軸設置，第一散熱銅柱和第二散熱銅柱的直徑為50μm～3.0mm。

4.一種高導熱封裝基板的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在銅基板的上表面電鍍金屬保護層；

2)在銅基板的金屬保護層的上表面加成電鍍第一層線路；

3)在第一層線路上制作與第二層線路相導通的第一導通銅柱和第一散熱銅柱，對第一導通銅柱和第一散熱銅柱進行電鍍；

4)接著在第一層線路壓合第一絕緣層，并對第一絕緣層的上表面進行研磨使露出第一導通銅柱和第一散熱銅柱；

5)在第一絕緣層上沉積一層導電種子銅，采用加成法工藝制作第二層線路；

6)第二層線路上制作與第三層線路相導通的第二導通銅柱和第二散熱銅柱，對第二導通銅柱和第二散熱銅柱進行電鍍；

7)在第二層線路上壓合第二絕緣層，并對第二絕緣層的上表面進行研磨使露出第二導通銅柱和第二散熱銅柱；

8)在第二絕緣層上沉積一層導電種子銅，采用加成法工藝制作第三層線路；

9)最后對帶金屬保護層的銅基板進行蝕刻。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)的金屬保護層為銅鎳層，步驟3)和步驟7)的第一導通銅柱和第二導通銅柱的的直徑最小為0.05mm；所述第一散熱銅柱和第二散熱銅柱為同軸設置，第一散熱銅柱和第二散熱銅柱的直徑為50μm～3.0mm。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2)的第一層線路的制作工藝流程為：壓膜→曝光→顯影→電鍍。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟3)的第一導通銅柱和第一散熱銅柱的制作工藝流程為：壓膜→曝光→顯影→電鍍第一導通銅柱和第一散熱銅柱。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟5)中加成法工藝制作第二層線路的工藝流程為：種子銅→壓膜→曝光→顯影→電鍍線路。

9.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟6)第二導通銅柱和第二散熱銅柱的制作工藝流程為：壓膜→曝光→顯影→電鍍第二導通銅柱和第二散熱銅柱→退膜→退種子銅。

10.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟8)中加成法工藝制作第三層線路的工藝流程為：種子銅→壓膜→曝光→顯影→電鍍線路→退膜→退種子銅。