[發(fā)明專利]集成電路存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810673802.7
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN108520876B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發(fā)明提供一種集成電路存儲器及其形成方法、半導(dǎo)體器件，所述方法包括在基底上形成第一間隔材料層，并刻蝕形成多個第一開口，每一第一開口暴露出兩個相鄰的位線接觸區(qū)以及兩個位線接觸區(qū)之間的字線，形成阻擋層在第一開口的底部及側(cè)壁，并部分填充導(dǎo)電層在第一開口內(nèi)以形成第二開口，填充絕緣材料層在第二開口內(nèi)，并刻蝕形成第三開口，以剩余的絕緣層為掩膜刻蝕導(dǎo)電層和阻擋層，形成暴露字線的通孔，填充第二間隔材料層在通孔內(nèi)，形成多條位線，位線包括導(dǎo)電層及阻擋層，導(dǎo)電層的底部經(jīng)由阻擋層與位線接觸電性連接，阻擋層還延伸覆蓋于導(dǎo)電層位于所述第一間隔材料層的側(cè)面，能夠更好的防止位線金屬擴散到位線接觸，從而提高器件的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種集成電路存儲器及其形成方法、半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

集成電路存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲電容器的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區(qū)、漏區(qū)和柵極，所述柵極用于控制所述源區(qū)和漏區(qū)之間的電流流動，并連接至字線，所述源區(qū)用于構(gòu)成位線接觸區(qū)，以連接至位線，所述漏區(qū)用于構(gòu)成存儲節(jié)點接觸區(qū)，以連接至存儲電容器。

隨著半導(dǎo)體制作工藝中集成度的不斷增加，提升集成電路存儲器的集成密度已成為一種趨勢。然而，在元件尺寸縮減的要求下，其制作工藝，尤其是位線的制作工藝日漸困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路存儲器及其制備方法、半導(dǎo)體器件，簡化位線的制作工藝，提高位線的穩(wěn)定性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種集成電路存儲器的形成方法，包括：

提供一基底，所述基底中形成有多個有源區(qū)以及與所述有源區(qū)相交的多條字線，每一所述有源區(qū)上設(shè)置有一位線接觸，所述位線接觸位于相鄰兩條所述字線之間的所述基底上；

形成一第一間隔材料層在所述基底上，所述第一間隔材料層覆蓋所述字線與所述位線接觸；

刻蝕所述第一間隔材料層，以形成多個第一開口，每一所述第一開口暴露出相鄰的兩個位線接觸以及位于所述相鄰的兩個位線接觸之間的所述字線；

形成一阻擋層在所述第一開口的底部及側(cè)壁，并部分填充一導(dǎo)電層在所述第一開口內(nèi)，以形成第二開口，所述導(dǎo)電層覆蓋所述位線接觸和所述字線；

填充一絕緣材料層在所述第二開口內(nèi)，所述絕緣材料層覆蓋所述導(dǎo)電層，并刻蝕所述絕緣材料層至暴露出部分所述導(dǎo)電層，以形成第三開口，所述第三開口位于所述字線的正上方；

以剩余的所述絕緣材料層為掩膜通過所述第三開口刻蝕所述導(dǎo)電層和所述阻擋層，以形成暴露所述字線的通孔；

填充第二間隔材料層在所述通孔內(nèi)，利用所述第二間隔材料層覆蓋所述字線并隔離位于其兩側(cè)的導(dǎo)電層，其中位于所述第二間隔材料層兩側(cè)的所述導(dǎo)電層的底部經(jīng)由所述阻擋層與所述位線接觸電性連接，所述阻擋層還延伸覆蓋于所述導(dǎo)電層位于所述第一間隔材料層的側(cè)面，以構(gòu)成所述集成電路存儲器的位線。

可選的，形成所述阻擋層之前，還包括：形成一隔離層在所述第一間隔材料層的側(cè)壁。

可選的，部分填充所述導(dǎo)電層以形成所述第二開口的步驟包括：

形成一導(dǎo)電材料層在所述基底上，所述導(dǎo)電材料層覆蓋所述第一間隔材料層并填滿所述第一開口；

回刻蝕所述導(dǎo)電材料層直至剩余部分厚度的所述導(dǎo)電材料層在所述第一開口中，以形成所述導(dǎo)電層并界定出所述第二開口。

可選的，在對所述導(dǎo)電材料層進行刻蝕的同時還對所述阻擋層進行刻蝕，使得所述導(dǎo)電層側(cè)壁上的所述阻擋層的上表面與所述導(dǎo)電層的上表面平齊。

可選的，形成所述第一開口的步驟包括：

形成一光刻膠層在所述第一間隔材料層上；