[發(fā)明專利]集成電路存儲(chǔ)器及其制備方法、半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810673802.7
• 申請(qǐng)日: 2018-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108520876B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底中形成有多個(gè)有源區(qū)以及與所述有源區(qū)相交的多條字線，每一所述有源區(qū)上設(shè)置有一位線接觸，所述位線接觸位于相鄰兩條所述字線之間的所述基底上；

形成一第一間隔材料層在所述基底上，所述第一間隔材料層覆蓋所述字線與所述位線接觸；

刻蝕所述第一間隔材料層，以形成多個(gè)第一開(kāi)口，每一所述第一開(kāi)口暴露出相鄰的兩個(gè)位線接觸以及位于所述相鄰的兩個(gè)位線接觸之間的所述字線；

形成一阻擋層在所述第一開(kāi)口的底部及側(cè)壁，并部分填充一導(dǎo)電層在所述第一開(kāi)口內(nèi)，以形成第二開(kāi)口，所述導(dǎo)電層覆蓋所述位線接觸和所述字線；

填充一絕緣材料層在所述第二開(kāi)口內(nèi)，所述絕緣材料層覆蓋所述導(dǎo)電層，并刻蝕所述絕緣材料層至暴露出部分所述導(dǎo)電層，以形成第三開(kāi)口，所述第三開(kāi)口位于所述字線的正上方；

以剩余的所述絕緣材料層為掩膜通過(guò)所述第三開(kāi)口刻蝕所述導(dǎo)電層和所述阻擋層，以形成暴露所述字線的通孔；

填充第二間隔材料層在所述通孔內(nèi)，利用所述第二間隔材料層覆蓋所述字線并隔離位于其兩側(cè)的導(dǎo)電層，其中位于所述第二間隔材料層兩側(cè)的所述導(dǎo)電層的底部經(jīng)由所述阻擋層與所述位線接觸電性連接，所述阻擋層還延伸覆蓋于所述導(dǎo)電層位于所述第一間隔材料層的側(cè)面，以構(gòu)成所述集成電路存儲(chǔ)器的位線。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，形成所述阻擋層之前，還包括：形成一隔離層在所述第一間隔材料層的側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，部分填充所述導(dǎo)電層以形成所述第二開(kāi)口的步驟包括：

形成一導(dǎo)電材料層在所述基底上，所述導(dǎo)電材料層覆蓋所述第一間隔材料層并填滿所述第一開(kāi)口；

回刻蝕所述導(dǎo)電材料層直至剩余部分厚度的所述導(dǎo)電材料層在所述第一開(kāi)口中，以形成所述導(dǎo)電層并界定出所述第二開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求3所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在對(duì)所述導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕的同時(shí)還對(duì)所述阻擋層進(jìn)行刻蝕，使得所述導(dǎo)電層側(cè)壁上的所述阻擋層的上表面與所述導(dǎo)電層的上表面平齊。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，形成所述第一開(kāi)口的步驟包括：

形成一光刻膠層在所述第一間隔材料層上；

圖形化所述光刻膠層以形成多個(gè)第一凹槽，所述第一凹槽暴露部分所述第一間隔材料層；

修剪剩余的所述光刻膠層，以擴(kuò)大所述第一凹槽的開(kāi)口尺寸并構(gòu)成第二凹槽，所述第二凹槽的間隔寬度對(duì)應(yīng)等于所述第一開(kāi)口的間隔寬度；

以剩余的所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一間隔材料層，以形成所述第一開(kāi)口。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，修剪剩余的所述光刻膠層的方法包括：等離子體轟擊所述光刻膠層的所述第一凹槽的側(cè)壁。

7.如權(quán)利要求1所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，形成所述絕緣材料層和所述第三開(kāi)口的步驟包括：

形成一絕緣材料層在所述基底上，所述絕緣材料層覆蓋所述第一間隔材料層并填充所述第二開(kāi)口，且所述絕緣材料層對(duì)應(yīng)所述第二開(kāi)口的上表面順應(yīng)所述第二開(kāi)口的形貌凹陷，以界定出一第三凹槽，所述第三凹槽的間隔寬度小于所述第二開(kāi)口的間隔寬度；

刻蝕所述絕緣材料層，在所述第三凹槽的下方形成所述第三開(kāi)口，所述第三開(kāi)口暴露出部分所述導(dǎo)電層。

8.如權(quán)利要求1所述的集成電路存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述基底中還形成有至少一個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)隔離相鄰的所述有源區(qū)。