[發明專利]檢測晶圓工作臺平坦度的方法有效

申請號：	201810672956.4	申請日：	2018-06-26
公開（公告）號：	CN108766901B	公開（公告）日：	2020-07-31
發明（設計）人：	劉小虎;朱祎明	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	H01L21/66	分類號：	H01L21/66;G01B21/30
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	智云
地址：	201203 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	檢測工作臺平坦方法
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【說明書】：

本發明提供了一種檢測晶圓工作臺平坦度的方法，包括：選用一檢測晶圓置于標準的晶圓工作臺上刻蝕第一層套刻圖形；將刻蝕好第一層套刻圖形的所述檢測晶圓置于實際的晶圓工臺上刻蝕第二層套刻圖形；計算所述第二層套刻圖形相對于所述第一層套刻圖形的套刻精度；將計算到的套刻精度與一閾值進行比較，如果所述套刻精度超過所述閾值，則判斷晶圓工作臺平坦度不達標值。在本發明提供的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，通過量測晶圓的套刻精度，計算和記錄套刻精度的值，通過判斷套刻精度是否超出閾值來判斷晶圓工作臺是否需要清理。這種方法能測試晶圓工作臺的平坦度，最終減少了因平坦度造成晶圓不良的幾率。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種檢測晶圓工作臺平坦度的方法。

背景技術

光刻機中晶圓工作臺的平坦度直接影響到曝光結果，如果平坦度不好，會導致圖形聚焦不好，造成缺陷和良率損失。現有技術通過使用平坦度檢測元件，可以及時發現晶圓工作臺平坦度異常。但是由于涂膠成膜在晶圓邊緣偏厚，同時加上洗邊和去邊等設定，通常將光刻機曝光時的失效范圍定義為3mm，以半徑為150mm為例的芯片，有用芯片為半徑為14mm以內范圍，14mm以外為失效范圍。然而，由于聚焦失效范圍、平坦度測試器件尺寸大小等因素，導致晶圓工作臺邊緣的平坦度的檢測難道較大。而且，晶圓工作臺邊緣區域更容易積累顆粒，由于無法及時檢測到晶圓工作臺邊緣平坦度的異常，會造成處于晶圓工作臺邊緣的晶圓的良率損失。

發明內容

本發明的目的在于提供一種檢測晶圓工作臺平坦度的方法。

為了達到上述目的，本發明提供了提供了一種檢測晶圓工作臺平坦度的方法，包括：

S11：選用一檢測晶圓置于標準的晶圓工作臺上刻蝕第一層套刻圖形；

S12：將刻蝕好第一層套刻圖形的所述檢測晶圓置于實際的晶圓工臺上刻蝕第二層套刻圖形；

S13：計算所述第二層套刻圖形相對于所述第一層套刻圖形的套刻精度；

S14：將計算到的套刻精度與一閾值進行比較，如果所述套刻精度超過所述閾值，則判斷晶圓工作臺平坦度不達標。

可選的，在所述的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，所述套刻精度的檢測區域為從檢測晶圓的晶邊向內3mm～5mm處開始，到檢測晶圓的晶邊向內5mm～7mm處截止。

可選的，在所述的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，計算所述第二層套刻圖形相對于所述第一層套刻圖形的套刻精度后，所述檢測晶圓工作臺平坦度的方法還包括：去除所述第二層套刻圖形。

可選的，在所述的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，所述檢測晶圓工作臺平坦度的方法還包括：在刻蝕第一層套刻圖形之前，在檢測晶圓上選取多個半徑，選取的多個半徑將檢測晶圓劃分成多個扇區。

可選的，在所述的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，選取的多個半徑中，任意兩個相鄰的半徑之間的夾角相同。

可選的，在所述的檢測晶圓工作臺平坦度的方法中，檢測區域內的同一半徑上具有多個第一層套刻圖形和第二層套刻圖形。