[發(fā)明專利]檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810672956.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108766901B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉小虎;朱祎明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01B21/30 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 工作臺(tái) 平坦 方法 | ||
1.一種檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,包括:
選用一檢測(cè)晶圓置于標(biāo)準(zhǔn)的晶圓工作臺(tái)上刻蝕第一層套刻圖形;
將刻蝕好第一層套刻圖形的所述檢測(cè)晶圓置于實(shí)際的晶圓工臺(tái)上刻蝕第二層套刻圖形;
計(jì)算所述第二層套刻圖形相對(duì)于所述第一層套刻圖形的套刻精度;
將計(jì)算到的套刻精度與一閾值進(jìn)行比較,如果所述套刻精度超過所述閾值,則判斷晶圓工作臺(tái)平坦度不達(dá)標(biāo)。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,所述套刻精度的檢測(cè)區(qū)域?yàn)閺臋z測(cè)晶圓的晶邊向內(nèi)3mm~5mm處開始,到檢測(cè)晶圓的晶邊向內(nèi)5mm~7mm處截止。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,計(jì)算所述第二層套刻圖形相對(duì)于所述第一層套刻圖形的套刻精度后,所述檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法還包括:去除所述第二層套刻圖形。
4.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,所述檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法還包括:在刻蝕第一層套刻圖形之前,在檢測(cè)晶圓上選取多個(gè)半徑,選取的多個(gè)半徑將檢測(cè)晶圓劃分成多個(gè)扇區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,選取的多個(gè)半徑中,任意兩個(gè)相鄰的半徑之間的夾角相同。
6.如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的同一半徑上具有多個(gè)第一層套刻圖形和第二層套刻圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的同一半徑上的相鄰的所述第一層套刻圖形之間的間距小于1mm,檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的同一半徑上的相鄰的所述第二層套刻圖形之間的間距小于1mm。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,計(jì)算套刻精度的方法包括分別計(jì)算檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第二層套刻圖形相對(duì)于第一層套刻圖形在X軸上的套刻精度和在Y軸上的套刻精度。
9.如權(quán)利要求8所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,通過如下公式獲取在X軸上的套刻精度:
其中:Vx為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)第二層套刻圖形的X軸上的套刻精度,為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)X軸上的多個(gè)套刻精度的平均值,為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)第二層套刻圖形的X軸上的套刻精度的標(biāo)準(zhǔn)差。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,通過如下公式獲取在Y軸上的套刻精度:
其中:VY為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)第二層套刻圖形的Y軸上的套刻精度,為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)Y軸上的多個(gè)套刻精度的平均值,為檢測(cè)區(qū)域內(nèi)第二層套刻圖形的Y軸上的套刻精度的標(biāo)準(zhǔn)差。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,以在X軸上的套刻精度和在Y軸上的套刻精度分別制成X軸和Y軸上的兩條套刻精度監(jiān)控表。
12.如權(quán)利要求11所述的檢測(cè)晶圓工作臺(tái)平坦度的方法,其特征在于,判斷晶圓工作臺(tái)平坦度是否達(dá)標(biāo)包括:觀察X軸和Y軸的兩條套刻精度監(jiān)控表的值,若其中有一套刻精度超過閾值,則判斷晶圓工作臺(tái)平坦度不達(dá)標(biāo)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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