[發(fā)明專利]一種ITO燒結(jié)靶材的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810671772.6
• 申請(qǐng)日: 2018-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN108947520B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梅方勝;袁鐵錘;陳立三;楊楊;劉文德;李瑞迪;趙為上;苗華磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株洲冶煉集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/457
• 分類號(hào): C04B35/457;C04B35/622;C23C14/35
• 代理公司: 長沙朕揚(yáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43213
• 代理人: 周孝湖

1.一種ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）、將In₂O₃粉末和SnO₂粉末一起經(jīng)濕法球磨，得ITO漿料，其中，In₂O₃粉末和SnO₂粉末的原始粒徑比為1：（1.0-2.0），In₂O₃粉末的原始粒徑為50nm-200nm；在ITO漿料中不加入燒結(jié)助劑；In₂O₃粉末和SnO₂粉末按質(zhì)量比（89.5-90.5）: （9.5-10.5）；

（2）、將步驟（1）所得ITO漿料經(jīng)噴霧造粒，得ITO造粒粉體；

（3）、將步驟（2）所得ITO造粒粉體裝入冷壓模具中，經(jīng)振動(dòng)和抽真空操作后，再經(jīng)一步冷等靜壓成型，得ITO坯體；

（4）、將步驟（3）所得ITO坯體在氧氣氣氛下進(jìn)行燒結(jié)，即得所述ITO燒結(jié)靶材；所述燒結(jié)的溫度為1550℃-1600℃，升溫速率控制在60℃/h-200℃/h，1550℃-1600℃下持續(xù)燒結(jié)時(shí)間為5h-10h；

所述ITO燒結(jié)靶材的相對(duì)密度≥99.5%、電阻率≤1.8×10^-4Ω?cm、抗折強(qiáng)度≥150MPa。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，在進(jìn)行冷等靜壓成型之前，不進(jìn)行鋼模液壓成型工序，將ITO造粒粉體裝入冷壓模具中，經(jīng)振動(dòng)和抽真空操作后，直接經(jīng)一步冷等靜壓成型得到ITO坯體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，將In₂O₃粉末和SnO₂粉末一起經(jīng)濕法球磨包括：

將In₂O₃粉末和SnO₂粉末按質(zhì)量比（89.5-90.5）: （9.5-10.5）經(jīng)5h-24h濕法球磨進(jìn)行均勻混合，加入粉體總質(zhì)量百分比0wt%-0.5wt%的粘結(jié)劑后再繼續(xù)球磨30min以上，即得ITO漿料，所述ITO漿料的固含量控制在30wt%-75wt%。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，濕法球磨的時(shí)間為10h-20h。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，ITO漿料的固含量控制在50wt%-70wt%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，In₂O₃粉末和SnO₂粉末的原始粒徑比為1：（1.0-1.5）；In₂O₃粉末的原始粒徑為100nm-150nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，經(jīng)噴霧造粒后所得ITO造粒粉體的平均粒徑為30μm-80μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，經(jīng)噴霧造粒后所得ITO造粒粉體的平均粒徑為40μm-60μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，冷等靜壓成型過程的壓力控制在150MPa-300MPa。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ITO燒結(jié)靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，冷等靜壓成型過程的壓力控制在250MPa-300MPa。