[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201810670514.6
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN109216337A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 藤井正浩
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

第一光發射元件，所述第一光發射元件發射具有第一波長的第一光，以發送第一信號；

第二光發射元件，所述第二光發射元件發射具有與所述第一波長不同的第二波長的第二光，以發送第二信號；

第一光接收元件，所述第一光接收元件接收所述第一光，以接收所述第一信號；以及

第二光接收元件，所述第二光接收元件在平面圖中重疊所述第一光接收元件，并且接收透過所述第一光接收元件的所述第二光，以接收所述第二信號。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一波長比所述第二波長短。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第二光接收元件包括第一導電類型的第一半導體區和形成在所述第一半導體區中的第二導電類型的第二半導體區，所述第二導電類型是與所述第一導電類型相反的導電類型，以及

其中，所述第一光接收元件包括所述第二導電類型的第三半導體區和形成在所述第三半導體區中的所述第一導電類型的第四半導體區。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第三半導體區在平面圖中是矩形的。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第三半導體區在平面圖中是格子狀的。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第三半導體區在平面圖中是螺旋的。

7.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，構成所述第二光接收元件的所述第一半導體區和所述第二半導體區形成在半導體基板中，以及

其中，構成所述第一光接收元件的所述第三半導體區和所述第四半導體區形成在半導體層中，所述半導體層形成在所述半導體基板上方。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一光發射元件形成在第一半導體芯片中，

其中，所述第二光發射元件形成在第二半導體芯片中，

其中，所述第一光接收元件和所述第二光接收元件形成在第三半導體芯片中，

所述半導體器件還包括：

第一密封體，所述第一密封體位于所述第一半導體芯片和所述第三半導體芯片之間以及所述第二半導體芯片和所述第三半導體芯片之間；以及

第二密封體，所述第二密封體覆蓋所述第一半導體芯片、所述第二半導體芯片、所述第三半導體芯片和所述第一密封體。