[發明專利]集成電路存儲器設備及其操作方法

有效

• 申請號: 201810670498.0
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN109119107B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: A.安東揚
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

一種存儲器設備包括：存儲單元陣列，其包括存儲單元；行解碼器，其通過字線與存儲單元陣列連接；列解碼器，其通過位線和源線與存儲單元陣列連接；以及寫入驅動器，其在寫入操作中輸出寫入電壓。列解碼器包括開關，開關分別連接到位線并分別連接到源線。在寫入操作期間，開關中的選擇的開關將寫入電壓傳送到位線中的選擇的位線。開關中的每個未選擇的開關通過使用寫入電壓將寫入驅動器與位線中的相應未選擇的位線電分離。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年6月26日提交的第10-2017-0080523號和于2018年3月19日提交的第10-2018-0031548號韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明構思的實施例涉及半導體設備，并且更具體地涉及存儲器設備和操作存儲器設備的方法。

背景技術

存儲器設備可以包括存儲單元并且可以將數據存儲在存儲單元中。需要電力來保持存儲在存儲單元中的數據的存儲器設備被稱為“易失性存儲器設備”，而不需要電力來保持存儲在存儲單元中的數據的存儲器設備被稱為“非易失性存儲器設備”。

將數據存儲在存儲單元中的操作稱為“寫入操作”。為了執行存儲器設備的寫入操作，可以將特定電平的寫入電壓或寫入電流施加到存儲單元。

由于存儲器設備被設計為適合于低電力，所以供應給存儲器設備的電源電壓降低。并且，隨著電源電壓降低，電源電壓可能低于典型的寫入電壓。因此，隨著電源電壓降低，存儲器設備中可能出現會影響操作的可靠性的新問題。

發明內容

本發明構思的實施例提供了存儲器設備和操作存儲器設備的方法，其解決了在電源電壓降低到小于典型的寫入電壓的電平時可能發生的問題。

根據本發明構思的一些實施例，一種存儲器設備包括：存儲單元陣列，其包括存儲單元；行解碼器，其通過字線與存儲單元陣列連接；列解碼器，其通過位線和源線與存儲單元陣列連接；以及寫入驅動器，其在寫入操作中輸出寫入電壓。列解碼器包括開關，開關分別連接到位線并分別連接到源線。在寫入操作期間，開關中的選擇的開關將寫入電壓傳送到位線中的選擇的位線。開關中的未選擇的開關通過使用寫入電壓將寫入驅動器與位線中的未選擇的位線電分離。

根據本發明構思的另一實施例，一種存儲器設備包括：存儲單元陣列，其包括存儲單元；行解碼器，其通過字線與存儲單元陣列連接；列解碼器，其通過位線和源線與存儲單元陣列連接；寫入驅動器，其在寫入操作中輸出寫入電壓；以及感測放大器，其在讀取操作中輸出讀取電壓。列解碼器包括分別連接到位線并分別連接到源線的開關、以及讀取和寫入解碼器，該讀取和寫入解碼器在寫入操作期間將位線和源線與寫入驅動器連接，并且在讀取操作期間將位線和源線與感測放大器連接。開關中的每個可以包括連接相應位線和寫入驅動器的第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管。在寫入操作期間，在從開關中選擇的開關中，電源電壓被傳送到第一NMOS晶體管的柵極，并且接地電壓被傳送到第一PMOS晶體管的柵極。然而，也在寫入操作期間，在開關中的未選擇的開關中，接地電壓被傳送到第一NMOS晶體管的柵極，并且寫入電壓被傳送到第一PMOS晶體管的柵極。

根據本發明構思的另一實施例，一種操作包括連接到字線、位線和源線的存儲單元的存儲器設備的方法包括：在連接到從位線中選擇的位線的第一傳輸門處建立電源電壓和接地電壓，從而將寫入電壓傳送到選擇的位線；以及在連接到位線中的未選擇的位線的第二傳輸門處建立寫入電壓和接地電壓，從而將寫入電壓傳送到未選擇的位線。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本發明構思的示例性實施例，本發明構思的上述和其他目的和特征將變得明顯。

圖1是圖示根據本發明構思的實施例的存儲器設備的框圖。

圖2是在圖1的存儲器設備中可使用的存儲單元的電氣原理圖。