[發明專利]集成電路存儲器設備及其操作方法

有效

• 申請號: 201810670498.0
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN109119107B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: A.安東揚
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種存儲器設備，包括：

存儲單元陣列，包括存儲單元；

行解碼器，通過字線與存儲單元陣列連接；

列解碼器，通過位線和源線與存儲單元陣列連接；以及

寫入驅動器，被配置為在寫入操作中輸出寫入電壓，

其中，所述列解碼器包括開關，

其中，所述開關中的每個連接到所述位線中的相應位線和所述源線中的相應源線，以及

其中，在寫入操作中，所述開關中的選擇的開關將寫入電壓傳送到所述位線中的選擇的位線，并且所述開關中的未選擇的開關通過使用寫入電壓將寫入驅動器與所述位線中的未選擇的位線電分離。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述開關中的每個包括：

第一晶體管，具有連接到接地節點的第一端、反轉的位線信號被傳送到的柵極、以及連接到相應位線的第二端；

第二晶體管，具有連接到第一節點的第一端、連接到相應位線的柵極、以及連接到寫入驅動器的第二端；

第三晶體管，連接在接地節點與第一節點之間并通過位線信號來控制；以及

第一傳輸門，連接在第一晶體管的第二端與寫入驅動器之間，并通過位線信號和第一節點的電壓來控制。

3.根據權利要求2所述的存儲器設備，其中，所述開關中的每個還包括：

第四晶體管，具有連接到接地節點的第一端、反轉的位線信號被傳送到的柵極、以及連接到相應源線的第二端；

第五晶體管，具有連接到第二節點的第一端、連接到相應源線的柵極、以及連接到寫入驅動器的第二端；

第六晶體管，連接在接地節點與第二節點之間并通過位線信號來控制；以及

第二傳輸門，連接在第四晶體管的第二端與寫入驅動器之間并通過位線信號和第二節點的電壓來控制。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述開關中的每個包括連接在相應位線與寫入驅動器之間的NMOS晶體管和PMOS晶體管，以及

其中，在寫入操作中，電源電壓被傳送到選擇的開關的NMOS晶體管的柵極，并且接地電壓被傳送到選擇的開關的PMOS晶體管的柵極。

5.根據權利要求4所述的存儲器設備，其中，寫入電壓高于電源電壓。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述開關中的每個包括連接在相應位線與寫入驅動器之間的NMOS晶體管和PMOS晶體管，以及

其中，在寫入操作中，接地電壓被傳送到未選擇的開關的NMOS晶體管的柵極，并且寫入電壓被傳送到未選擇的開關的PMOS晶體管的柵極。

7.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括：

感測放大器，被配置為在讀取操作中輸出讀取電壓，

其中，所述列解碼器還包括：

讀取和寫入解碼器，被配置為在寫入操作中將開關與寫入驅動器連接，并且在讀取操作中將開關與感測放大器連接。

8.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述列解碼器還包括：

均衡器，被配置為響應于均衡信號將開關與寫入驅動器之間的布線均衡為接地電壓。

9.根據權利要求8所述的存儲器設備，其中，當均衡器將布線均衡時，所述開關將所述位線和所述源線均衡為接地電壓。

10.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，寫入操作將從所述存儲單元中選擇的存儲單元的狀態從第一狀態切換到第二狀態，以及

其中，在將選擇的存儲單元的狀態從第二狀態切換到第一狀態的第二寫入操作中，選擇的開關將寫入電壓傳送到選擇的源線，并且未選擇的開關通過使用寫入電壓將寫入驅動器與未選擇的源線電分離。