[發明專利]控制記憶裝置的方法、記憶裝置、及其控制器和電子裝置

有效

• 申請號: 201810666231.4
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN109783005B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 徐美玉
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種用來控制一記憶裝置的運作的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置。所述方法可包括：傳送一讀取指令至一非揮發性存儲器，以使所述非揮發性存儲器輸出一數據流；以及分別利用所述控制器的一控制邏輯電路中的多個子電路，對所述數據流進行平行處理。例如，分別利用所述多個子電路對所述數據流進行平行處理可包括：利用一隨機化/去隨機化及錯誤更正碼電路依據所述數據流進行去隨機化及錯誤更正碼解碼，其中這個運作涉及所述記憶裝置的初始化；以及利用一空頁偵測電路依據所述數據流進行空頁偵測，其中這個運作涉及所述記憶裝置的初始化的加速。本發明的有益之處于能夠避免電子裝置的初始化被記憶裝置的初始化延遲。

技術領域

本發明涉及閃存(Flash memory)的存取(access)控制，尤指一種用來控制一記憶裝置的運作的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置。

背景技術

近年來由于存儲器的技術不斷地發展，各種可攜式或非可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS標準的記憶卡；又例如：固態硬盤；又例如：符合UFS或EMMC規格的嵌入式(embedded)存儲裝置)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的存儲器的存取控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區分為單階細胞(single level cell,SLC)與多階細胞(multiple level cell,MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞(memory cell)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管的存儲能力則被充分利用，是采用較高的電壓來驅動，以透過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄至少兩組位信息(諸如00、01、11、10)；理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的至少兩倍，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的記憶裝置競相采用的主流。然而，多階細胞閃存的不穩定性所導致的問題也一一浮現。為了確保記憶裝置對閃存的存取控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

依據現有技術，有了這些管理機制的記憶裝置還是有不足的地方。舉例來說，在記憶裝置的初始化完成之前，電子裝置無法使用記憶裝置中的存儲空間。在記憶裝置被設置于電子裝置中的狀況下，電子裝置的初始化可能被記憶裝置的初始化延遲。尤其是，電子裝置的系統信息可能被存儲于記憶裝置中，所以電子裝置在開機的期間可能被迫等待記憶裝置的初始化的完成，才能讀取系統信息，這可造成電子裝置開機時間過長。因此，需要一種新穎的方法及相關架構，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下提升記憶裝置的效能。

發明內容

本發明的一目的在于公開一種用來控制一記憶裝置的運作的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于公開一種用來控制一記憶裝置的運作的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下提升記憶裝置的效能。