[發(fā)明專利]控制記憶裝置的方法、記憶裝置、及其控制器和電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810666231.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109783005B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐美玉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F3/06 | 分類號(hào): | G06F3/06 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 控制 記憶 裝置 方法 及其 控制器 電子 | ||
1.一種用來控制一記憶裝置的運(yùn)作的方法,所述記憶裝置包括一非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器包括至少一非揮發(fā)性存儲(chǔ)器組件,所述方法的特征在于,包括有:
傳送一讀取指令至所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,以使所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器輸出一數(shù)據(jù)流,其中所述數(shù)據(jù)流代表所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的多個(gè)預(yù)定區(qū)塊中的一區(qū)塊的一頁(yè);以及
分別利用所述記憶裝置的一控制器的一控制邏輯電路中的多個(gè)子電路來同時(shí)對(duì)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行不同類型的平行處理,以加速所述記憶裝置的初始化,其中所述記憶裝置包括所述控制器,所述多個(gè)子電路包括一隨機(jī)化/去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼電路與一空頁(yè)偵測(cè)電路,其中所述空頁(yè)偵測(cè)電路用來累積預(yù)定位的數(shù)量以產(chǎn)生預(yù)定位數(shù),且分別利用所述多個(gè)子電路來同時(shí)對(duì)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行不同類型的平行處理包括實(shí)質(zhì)上同時(shí)且相互獨(dú)立地進(jìn)行以下兩步驟:
利用所述隨機(jī)化/去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼解碼,其中依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼解碼涉及所述記憶裝置的初始化;以及
利用所述空頁(yè)偵測(cè)電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行空頁(yè)偵測(cè),其中依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行空頁(yè)偵測(cè)涉及所述記憶裝置的初始化的加速;
其中當(dāng)所述錯(cuò)誤更正碼解碼失敗時(shí),所述空頁(yè)偵測(cè)電路將所述預(yù)定位數(shù)和一預(yù)定位數(shù)閾值進(jìn)行比較以產(chǎn)生比較結(jié)果;當(dāng)所述比較結(jié)果指出所述預(yù)定位數(shù)小于所述預(yù)定位數(shù)閾值時(shí),所述控制器判斷偵測(cè)到空頁(yè),觸發(fā)進(jìn)一步空頁(yè)搜尋;以及,當(dāng)所述比較結(jié)果指出所述預(yù)定位數(shù)大于所述預(yù)定位數(shù)閾值時(shí),則所述控制器進(jìn)行讀取重試設(shè)定。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,利用所述隨機(jī)化/去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼解碼的步驟還包括:
利用所述隨機(jī)化/去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行去隨機(jī)化及錯(cuò)誤更正碼解碼,以嘗試于所述頁(yè)尋找所述記憶裝置的初始化的相關(guān)信息。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,還包括:
讀取錯(cuò)誤更正碼解碼成功時(shí)所取得的數(shù)據(jù),以從所讀取的數(shù)據(jù)取得所述記憶裝置的初始化的所述相關(guān)信息。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,利用所述空頁(yè)偵測(cè)電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行空頁(yè)偵測(cè)的步驟還包括:
利用所述空頁(yè)偵測(cè)電路依據(jù)所述數(shù)據(jù)流進(jìn)行空頁(yè)偵測(cè),以判斷所述頁(yè)是否為空頁(yè),其中藉由利用所述空頁(yè)偵測(cè)電路進(jìn)行空頁(yè)偵測(cè),在任何空頁(yè)尋找所述記憶裝置的初始化的相關(guān)信息的機(jī)率被減少。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,還包括:
當(dāng)偵測(cè)到所述頁(yè)為空頁(yè)時(shí),觸發(fā)所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的另一頁(yè)的空頁(yè)偵測(cè),以判斷所述另一頁(yè)是否為空頁(yè)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,若所述預(yù)定位代表位0,所述預(yù)定位數(shù)以及所述預(yù)定位數(shù)閾值分別代表位零數(shù)以及位零數(shù)閾值;以及,若所述預(yù)定位代表位1,所述預(yù)定位數(shù)以及所述預(yù)定位數(shù)閾值分別代表位壹數(shù)以及位壹數(shù)閾值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:
在所述記憶裝置的初始化期間,尋找所述多個(gè)預(yù)定區(qū)塊中的至少一區(qū)塊的最后一個(gè)有效頁(yè),且依據(jù)所述控制器先前在所述最后一個(gè)有效頁(yè)的備用區(qū)中所記錄的參考信息來直接或間接地找到所述記憶裝置的多個(gè)邏輯對(duì)實(shí)體地址映像表,以確保所述記憶裝置正確地運(yùn)作。
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G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
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G06F3-05 .在規(guī)定的時(shí)間間隔上,利用模擬量取樣的數(shù)字輸入
G06F3-06 .來自記錄載體的數(shù)字輸入,或者到記錄載體上去的數(shù)字輸出
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