[發明專利]影像感測器裝置結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201810661608.7
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN109817649B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 江彥廷;陳春元;曾曉暉;王昱仁;丁世汎;吳尉壯;劉人誠;楊敦年
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本申請實施例提供一種影像感測器裝置結構及其形成方法。所述影像感測器裝置結構包括一基板，且所述基板摻雜有一第一導電類型的雜質。所述影像感測器裝置結構包括形成于基板中的一光感測區域，且所述光感測區域摻雜有與第一導電類型不同的一第二導電類型的雜質。所述影像感測器裝置結構還包括延伸進入光感測區域的一摻雜區域，且所述摻雜區域摻雜有第一導電類型的雜質。所述影像感測器裝置結構也包括形成于摻雜區域上的多個濾色器。

技術領域

本發明實施例涉及影像感測器裝置結構及其形成方法，且特別涉及一種光感測區域中具有摻雜層的影像感測器裝置結構。

背景技術

半導體裝置已運用在各種電子應用上，例如個人電腦、手機、數碼相機以及其他的電子設備。半導體裝置的制造通常會依序將材料的各絕緣層或介電層、導電層、及半導體層沉積在半導體基板上，并且利用光刻工藝將各材料層圖案化以形成電路元件和其上的組件。通常會將許多集成電路制造于單一的半導體晶圓上，并且晶圓上單獨的晶粒沿著分割線(scribe line)在集成電路之間進行切割而分割。舉例而言，單獨的晶粒通常分別被封裝在多晶片模塊或其他類型的封裝中。

影像感測器用于將聚焦在影像感測器上的光學影像轉換為電子信號。影像感測器包括數組光檢測元件，例如光二極管，且一光檢測元件被配置以產生相應于光檢測元件上光照射(light impinging)強度的電子信號。電子信號用于將相應的影像顯示于監控器上，或用于提供關于光學影像的信息。

雖然現有的影像感測器裝置及其形成方法通常已經足以達到其預期目的，但它們尚未在所有方面完全令人滿意。

發明內容

根據本發明的一實施例，提供一種影像感測器裝置結構，包括：一基板，所述基板摻雜有一第一導電類型的雜質；一光感測區域，形成于基板中，其中光感測區域摻雜有與第一導電類型不同的一第二導電類型的雜質；一摻雜區域，延伸進入光感測區域，其中摻雜區域摻雜有第一導電類型的雜質；以及多個濾色器，形成于摻雜區域上。

根據本發明的另一實施例，提供一種影像感測器裝置結構，包括：一p-型基板，其中p-型基板具有一第一表面和一第二表面；一內連線結構，形成于p-型基板的第一表面上；一n-型光感測區域，形成于基板中；一p-型摻雜區域，從基板的第二表面插入n-型光感測區域，其中p-型摻雜區域包括一p-型摻雜層和形成于p-型摻雜層之上的一氧化層；以及一深隔離環，圍繞(surrounding)n-型光感測區域，其中深隔離環包括p-型摻雜層和氧化層。

又根據本發明的另一實施例，提供一種影像感測器裝置結構的形成方法，包括：形成一內連線結構于一基板的一第一表面上；形成一光感測區域于基板中；從基板的一第二表面形成一溝槽于光感測區域中；形成一摻雜層于溝槽中；形成一氧化層于溝槽中和摻雜層上以形成一摻雜區域，其中摻雜區域插入光感測區域。

附圖說明

為讓本發明實施例的上述和其他目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉出一些實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

本發明實施例可配合圖式及詳細說明閱讀以便了解。要強調的是，依照工業上的標準實施，各個部件(feature)并未按照比例繪制。事實上，為了清楚的討論，可能任意的放大或縮小各個部件的尺寸。

圖1A～圖1F為根據本發明一些實施例顯示形成影像感測器裝置結構的各階段的剖面表示圖。

圖2A～圖2D為根據本發明一些實施例顯示各種影像感測器裝置結構的俯視表示圖。

圖3A～圖3E為根據本發明一些實施例顯示形成影像感測器裝置結構的各階段的剖面表示圖。

圖3E’為根據本發明一些實施例顯示經修飾的影像感測器裝置結構的剖面表示圖。

圖4A～圖4C為根據本發明一些實施例顯示各種影像感測器裝置結構的俯視表示圖。