[發(fā)明專利]影像感測器裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810661608.7
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN109817649B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江彥廷;陳春元;曾曉暉;王昱仁;丁世汎;吳尉壯;劉人誠;楊敦年
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，包括：

一基板，其中該基板摻雜有一第一導電類型的雜質(zhì)；

一光感測區(qū)域，形成于該基板中，其中該光感測區(qū)域摻雜有與該第一導電類型不同的一第二導電類型的雜質(zhì)；

一摻雜區(qū)域，延伸進入該光感測區(qū)域，其中該摻雜區(qū)域摻雜有該第一導電類型的雜質(zhì)，其中該摻雜區(qū)域包括一摻雜層及一氧化層，且該摻雜層位于該氧化層與該光感測區(qū)域之間；以及

多個濾色器，形成于該摻雜區(qū)域上。

2.如權(quán)利要求1所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該基板摻雜有p-型導電性，該光感測區(qū)域摻雜有n-型導電性，且該摻雜區(qū)域摻雜有p-型導電性。

3.如權(quán)利要求1所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該光感測區(qū)域包括具有一第一摻雜濃度的一第一部份和具有一第二摻雜濃度的一第二部分，該第二摻雜濃度高于該第一摻雜濃度，且該摻雜區(qū)域與該第一部份直接接觸。

4.如權(quán)利要求3所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該摻雜區(qū)域具有一第三摻雜濃度，且該第三摻雜濃度高于該第二摻雜濃度。

5.如權(quán)利要求1所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，還包括：一深隔離環(huán)，圍繞該光感測區(qū)域，其中該摻雜區(qū)域具有一第一深度，且該深隔離環(huán)具有大于該第一深度的一第二深度。

6.如權(quán)利要求5所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該摻雜層與該基板直接接觸，且該氧化層位于該摻雜層之上。

7.如權(quán)利要求6所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該深隔離環(huán)還包括一高介電常數(shù)介電層，位于該摻雜層和該氧化層之間。

8.如權(quán)利要求1所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，還包括：多個金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，位于該氧化層和該光感測區(qū)域之上。

9.如權(quán)利要求1所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，還包括：

一晶體管裝置，形成于該基板之上；以及

一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于該晶體管裝置上。

10.一種影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，包括：

一p-型基板，其中該p-型基板具有一第一表面和一第二表面；一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于該p-型基板的該第一表面上；

一n-型光感測區(qū)域，形成于該基板中；

一p-型摻雜區(qū)域，從該基板的該第二表面插入該n-型光感測區(qū)域，其中該p-型摻雜區(qū)域包括一p-型摻雜層和形成于該p-型摻雜層之上的一氧化層；以及

一深隔離環(huán)，圍繞該n-型光感測區(qū)域，其中該深隔離環(huán)包括該p-型摻雜層和該氧化層。

11.如權(quán)利要求10所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該摻雜區(qū)域具有一第一深度，且該深隔離環(huán)具有大于該第一深度的一第二深度。

12.如權(quán)利要求10所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，還包括：

多個濾色器，形成于該氧化層上；以及

多個微透鏡結(jié)構(gòu)，形成于該多個濾色器上。

13.如權(quán)利要求10所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該深隔離環(huán)還包括位于該p-型摻雜層之下的一氧化層。

14.如權(quán)利要求10所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該深隔離環(huán)還包括位于該p-型摻雜層和該氧化層之間的一高介電常數(shù)介電層。

15.如權(quán)利要求10所述的影像感測器裝置結(jié)構(gòu)，其中該n-型光感測區(qū)域包括具有一第一摻雜濃度的一第一部分和具有一第二摻雜濃度的一第二部分，該第二摻雜濃度大于該第一摻雜濃度，且該n-型摻雜區(qū)域與該第一部分直接接觸。