[發(fā)明專利]一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊及其生產(chǎn)工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810658630.6
• 申請(qǐng)日: 2018-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN108873190A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖楠;劉浪;段淳淳;劉均;周淼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶霓揚(yáng)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G02B6/42
• 分類號(hào): G02B6/42
• 代理公司: 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113
• 代理人: 張璽

本發(fā)明提出了一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊及其生產(chǎn)工藝。模塊采用高速光電二極管管芯和低噪聲放大器芯片混合集成結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，相比較分立結(jié)構(gòu)，減小體積，提升射頻性能，提高了可靠性；混合集成工藝采用共基板微組裝工藝，高速光電二極管管芯、低噪聲放大器芯片基微帶線采用環(huán)氧銀膠工藝一次對(duì)位粘接烘烤，工藝簡(jiǎn)單，節(jié)省工藝時(shí)間，工藝效率高；混合集成電路基板采用AlN基板材料具有表面光潔度好，高熱導(dǎo)率等特性；混合集成電路基板上采用薄膜電路工藝，通過金絲楔焊工藝焊接，有效減小了寄生電感影響，更加適合高速封裝模塊的要求；整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單適用，工藝制作可行性高，利于進(jìn)行批量生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊設(shè)計(jì)及其生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)

隨著微波光子學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，基于微波光子鏈路架構(gòu)的雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)得到了快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。寬帶模擬光接收模塊用于雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)寬帶模擬光信號(hào)的接收檢測(cè)，是微波光子鏈路核心器件之一。

隨著新一代遠(yuǎn)程多目標(biāo)跟蹤的高靈敏度、高分辨率雷達(dá)電子戰(zhàn)裝備發(fā)展，相控陣體制的天線陣列越來越多、天線陣元規(guī)模越來越大，與天線陣列匹配的微波光子鏈路需要大量的寬帶模擬光接收模塊。基于分立形態(tài)光接收模塊難以達(dá)到要求。因此，發(fā)展集成化技術(shù)解決大陣列微波光子雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)體積問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)方法，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，并考慮工藝實(shí)現(xiàn)的可行性，能夠有效解決高速光電二極管管芯和低噪聲放大器結(jié)構(gòu)集成了模塊體積減小、射頻性能提升及可靠性等難點(diǎn)，滿足微波光子鏈路集成化、小體積、高性能及高可靠性等實(shí)際應(yīng)用技術(shù)要求。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊，其特征在于：包括集成化封裝外殼，陶瓷基板，電源基板、射頻連接器，光纖，電源絕緣子及射頻絕緣子，所述陶瓷基板上混合集成有高速光電二極管和低噪聲放大器，所述陶瓷基板與所述電源基板之間電連接，所述電源絕緣子與所述電源基板連接，所述光纖與所述高速光電二極管光電耦合，所述射頻連接器固定連接在集成化封裝外殼上，射頻信號(hào)通過所述射頻絕緣子輸出。

進(jìn)一步的，所述集成化封裝外殼包括殼體及連接在殼體兩端的上蓋板和下蓋板，所述集成化封裝外殼上還設(shè)有電源接口、射頻接口及光纖輸入端口，所述電源絕緣子設(shè)于所述電源接口內(nèi)，所述射頻絕緣子設(shè)于所述射頻接口內(nèi)，所述光纖從所述光纖輸入端口穿出。

進(jìn)一步的，一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊及其生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括如下8個(gè)步驟：

S1：一體化封裝外殼加工成型；

S2：光電二極管和低噪聲放大器共基混合集成；

S3：上下腔室分別貼裝陶瓷基板和電源基板；

S4：上下腔室電源線連接；

S5：光電二極管芯片與光纖耦合；

S6：焊接電源絕緣子、射頻絕緣子；

S7：平行縫焊殼體上、下蓋板；

S8：安裝射頻連接器。

進(jìn)一步的，步驟S1中，所述集成化封裝外殼采用可伐材料加工成型，外表面具有鍍金層。

進(jìn)一步的，步驟S2中，所述高速光電二極管和低噪聲放大器共基混合集成為陶瓷基板，所述陶瓷基板為AlN基板，采用薄膜電路工藝制作基板電路，所述陶瓷基板采用環(huán)氧銀膠粘貼高速光電二極管管芯、低噪聲放大器芯片及微帶線，經(jīng)高溫烘烤后，采用金絲楔焊工藝進(jìn)行金絲鍵合實(shí)現(xiàn)電連接。

進(jìn)一步的，步驟S3中，所述陶瓷基板、電源基板采用環(huán)氧銀膠工藝一次對(duì)位粘接烘烤。