[發明專利]一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊及其生產工藝

在審

• 申請號: 201810658630.6
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN108873190A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 肖楠;劉浪;段淳淳;劉均;周淼
• 申請（專利權）人: 重慶霓揚科技有限責任公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 張璽

1.一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊，其特征在于：包括集成化封裝外殼(1)，陶瓷基板(2)，電源基板(3)、射頻連接器(4)，光纖(5)，電源絕緣子(6)及射頻絕緣子(7)，所述陶瓷基板(2)上混合集成有高速光電二極管(21)和低噪聲放大器(22)，所述陶瓷基板(2)與所述電源基板(3)之間電連接，所述電源絕緣子(6)與所述電源基板(3)連接，所述光纖(5)與所述高速光電二極管(21)光電耦合，所述射頻連接器(4)固定連接在集成化封裝外殼(1)上，射頻信號通過所述射頻絕緣子(7)輸出。

2.按照權利要求1所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊，其特征在于：所述集成化封裝外殼(1)包括殼體(11)及連接在殼體(11)兩端的上蓋板(12)和下蓋板(13)，所述集成化封裝外殼上還設有電源接口(14)、射頻接口(15)及光纖輸入接口(16)，所述電源絕緣子(6)設于所述電源接口(14)內，所述射頻絕緣子(7)設于所述射頻接口(15)內，所述光纖(5)從光纖輸入端口(16)穿出。

3.一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于，包括如下8個步驟：

S1：集成化封裝外殼加工成型；

S2：高速光電二極管和低噪聲放大器共基混合集成；

S3：上下腔室分別貼裝陶瓷基板和電源基板；

S4：上下腔室電源線連接；

S5：光電二極管芯片與光纖耦合；

S6：焊接電源絕緣子、射頻絕緣子；

S7：平行縫焊殼體上、下蓋板；

S8：安裝射頻連接器。

4.按照權利要求3所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于：步驟S1中，所述集成化封裝外殼(1)采用可伐材料加工成型，外表面具有鍍金層。

5.按照權利要求3所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于：步驟S2中，所述高速光電二極管(21)和低噪聲放大器(22)共基混合集成為陶瓷基板(2)，所述陶瓷基板(2)為AlN基板，采用薄膜電路工藝制作基板電路，所述陶瓷基板(2)采用環氧銀膠粘貼高速光電二極管(21)管芯、低噪聲放大器(22)芯片及微帶線，經高溫烘烤后，采用金絲楔焊工藝進行金絲鍵合實現電連接。

6.按照權利要求3所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于：步驟S3中，所述陶瓷基板(2)、電源基板(3)采用環氧銀膠工藝一次對位粘接烘烤。

7.按照權利要求3所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于：步驟S6中，所述電源絕緣子(6)高溫釬焊于所述集成化封裝外殼(1)上，所述射頻絕緣子(7)金錫焊接于所述集成化封裝外殼(1)上。

8.按照權利要求3所述一種含有低噪聲放大器的集成化光電接收模塊的生產工藝，其特征在于：步驟S7中，所述上蓋板(12)及所述下蓋板(13)采用平行縫焊工藝封裝。