[發(fā)明專利]具有分段共享源極區(qū)域的三維異或串

有效

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• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN109103201B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設計）人: E.哈拉里;R.A.切爾內亞
• 申請（專利權）人: 日升存儲公司
• 主分類號: H10B43/20
• 分類號: H10B43/20;G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李芳華

1.一種NOR串，包括共享位線的多個可個別尋址的薄膜存儲晶體管，其中所述可個別尋址的薄膜存儲晶體管被劃分為多個片段，每一片段包括該片段內的薄膜存儲晶體管共享的對應源極線片段，并且其中所述源極線片段彼此電氣隔離。

2.根據權利要求1所述的NOR串，其中沿著在半導體襯底的表面之上并且平行于半導體襯底的表面提供的半導體層的有源條帶形成所述NOR串的存儲晶體管，所述有源條帶包括第一導電性的第一和第二半導體子層以及第二導電性的第三半導體子層，其中共享位線和每個源極線片段分別形成在第一和第二半導體子層中。

3.根據權利要求2所述的NOR串，還包括與第一半導體子層相鄰提供的導電層，所述導電子層在所述共享位線中提供低電阻率路徑。

4.根據權利要求3所述的NOR串，其中所述共享位線選擇性地電連接到在所述半導體襯底中形成的電路。

5.根據權利要求2所述的NOR串，其中，所述NOR串是在一疊有源條帶中、一個在另一個頂部上形成的多個類似NOR串之一。

6.根據權利要求5所述的NOR串，其中，所述一疊有源條帶是通過沿第一方向縱向延伸的溝槽、而彼此分離的多疊類似有源條帶中的一個。

7.根據權利要求6所述的NOR串，其中通過在沿著正交于第一方向的第二方向延伸的溝槽中提供的絕緣材料，每個NOR串的相鄰源極線片段彼此分離。

8.根據權利要求1所述的NOR串，其中，在每個片段內，提供一個或多個預充電晶體管，以連接所述共享位線和對應的一個源極線片段。

9.如權利要求8所述的NOR串，其中，在對所述NOR串的片段中的薄膜存儲晶體管進行讀取或編程操作期間，不在所述片段內的所述NOR串的源極線片段和所述共享位線保持在相同的電壓。

10.一種用于形成存儲器結構的方法，包括：

在半導體襯底中形成電路，所述半導體襯底具有平坦表面；

形成多個有源層，連續(xù)的有源層通過隔離層彼此隔離，每個有源層包括第一導電類型的第一半導體子層和第二半導體子層、與第一導電類型相反的第二導電類型的第三半導體層；

各向異性地圖案化并蝕刻所述有源層，以沿著垂直于所述平坦表面的第一方向從所述有源層的頂部形成第一溝槽系統(tǒng)，使得每個溝槽沿著平行于所述平坦表面的第二方向縱向延伸；

用犧牲材料填充第一組溝槽；

沿著第一方向各向異性地圖案化和蝕刻犧牲材料，以形成沿著平行于所述平坦表面且正交于所述第二方向的第三方向縱向延伸的第二組溝槽，由此暴露所述多個有源層中的每一個的一部分；和

各向同性地蝕刻有源層的暴露部分，以去除每個有源層的第一、第二和第三半導體子層的暴露部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述有源層的每一個還包括與所述第一半導體子層相鄰的導電層，所述導電層抵抗所述各向同性蝕刻步驟。

12.如權利要求10所述的方法，在所述各向同性蝕刻步驟之后，還包括：

選擇性地從所述第一組溝槽去除犧牲材料以暴露有源層；

在暴露的有源層上的溝槽中提供電荷捕獲層；

用導電材料填充第一溝槽；和

圖案化和各向異性地蝕刻導電材料，以提供導電材料的支柱。

13.根據權利要求12所述的方法，其中(i)每個有源層的所述第一半導體子層和所述第二半導體子層為NOR串中的薄膜存儲晶體管提供共享位線和共享源極線片段；(ii)第三半導體子層為薄膜存儲晶體管提供溝道區(qū)；和(iii)導電材料的支柱為薄膜存儲晶體管提供字線。