[發(fā)明專利]一種離子源、鍍膜裝置以及鍍膜方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810654789.0 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN109576665A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 新奧科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/46 | 分類號: | C23C14/46;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
| 地址: | 065001 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射電極 陰極靶材 離子源 鍍膜 中空柱狀結(jié)構(gòu) 接地電極層 鍍膜裝置 柱狀 等離子體技術(shù) 等離子體濺射 成膜均勻性 管道內(nèi)壁 管狀工件 絕緣連接 內(nèi)壁鍍膜 柱狀側(cè)面 濺射面 覆蓋 改進 | ||
本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種離子源、鍍膜裝置以及鍍膜方法。通過對離子源的結(jié)構(gòu)進行改進,能夠提高管道內(nèi)壁的等離子體濺射鍍膜的成膜均勻性。一種離子源,包括:發(fā)射電極;發(fā)射電極為柱狀;陰極靶材,陰極靶材為中空柱狀結(jié)構(gòu),且中空柱狀結(jié)構(gòu)套設(shè)于發(fā)射電極的柱狀側(cè)面上,陰極靶材背向所述發(fā)射電極的表面為濺射面;分別覆蓋于發(fā)射電極的柱狀上下兩個底面上的接地電極層,每一個接地電極層與發(fā)射電極和陰極靶材絕緣連接。本發(fā)明實施例用于對管狀工件的內(nèi)壁鍍膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種離子源、鍍膜裝置以及鍍膜方法。
背景技術(shù)
在化工生產(chǎn)中,經(jīng)常會用到各種各樣的管道,以實現(xiàn)化學(xué)物料的輸送,例如工業(yè)中常用的石油化工管道、真空管道和氣體管道等,這些管道在經(jīng)過長期的磨損、腐蝕、氧化等損害后,不可避免地會帶來安全隱患,因此,需要對這些管道結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁進行表面處理,以提高管道的抗磨損、抗腐蝕和抗氧化性能。
現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用電鍍或化學(xué)鍍的方法向管道內(nèi)壁鍍膜的方法以在管道內(nèi)壁形成保護層,對提高管道的抗磨損、抗腐蝕和抗氧化性能。但是,化學(xué)鍍和電鍍對環(huán)境危害較大,且所形成的膜層的致密性及其與管道的結(jié)合性均較差,不利于管道的使用壽命的延長,并且這種并不適合非導(dǎo)體材料的鍍膜。
等離子濺射鍍膜是一種采用正離子束轟擊靶材,使得靶材的分子、原子或離子發(fā)生遷移,使得這些遷移的離子沉積在待鍍膜工件的表面的技術(shù)。等離子濺射鍍膜適用于導(dǎo)體材料和非導(dǎo)體材料的鍍膜,且所形成的膜層的致密性及其與管道的結(jié)合性均較好,然而,現(xiàn)有的等離子濺射通常用于平面工件的鍍膜,在對大深徑比的管道進行鍍膜時,由管口處向管件內(nèi)部傳輸過程中等離子體密度逐漸降低,使得管件內(nèi)部的膜層厚度明顯呈管口處厚、向內(nèi)逐漸減薄的趨勢,甚至在管道更深處不能成膜,管道內(nèi)壁鍍膜的均勻性較差的情況發(fā)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于,提供一種離子源、鍍膜裝置以及鍍膜方法,通過對離子源的結(jié)構(gòu)進行改進,能夠提高管道內(nèi)壁的等離子體濺射鍍膜的成膜均勻性。
為達到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一方面,本發(fā)明實施例提供一種離子源,包括:發(fā)射電極;發(fā)射電極為柱狀;陰極靶材,陰極靶材為中空柱狀結(jié)構(gòu),且中空柱狀結(jié)構(gòu)套設(shè)于發(fā)射電極的柱狀側(cè)面上,陰極靶材背向發(fā)射電極的表面為濺射面;分別覆蓋于發(fā)射電極的柱狀上下兩個底面上的接地電極層,每一個接地電極層與發(fā)射電極和陰極靶材絕緣連接。
可選的,每一個接地電極層均為一端開口的筒狀結(jié)構(gòu),發(fā)射電極和陰極靶材被夾設(shè)在兩個筒狀結(jié)構(gòu)之間,且筒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面分別覆蓋于中空柱狀結(jié)構(gòu)沿軸向兩端的側(cè)面上。
可選的,發(fā)射電極的外周面上間隔插設(shè)有磁體,相鄰兩個磁體朝向外側(cè)的磁極磁性相反。
可選的,發(fā)射電極沿軸向的至少一個端面上還設(shè)有與陰極靶材的周向連通的放射狀氣體流道,接地電極層上穿設(shè)有與放射狀氣體流道連通的進氣管。
可選的,發(fā)射電極沿軸向的一個端面上還連接有電源饋入端子,電源饋入端子穿過接地電極層與電源連接,電源饋入端子與接地電極層之間相互絕緣。
可選的,發(fā)射電極內(nèi)部還設(shè)置有冷卻介質(zhì)流道,接地電極層上還穿設(shè)有與冷卻介質(zhì)流道連通的冷卻介質(zhì)輸入管和冷卻介質(zhì)輸出管。
可選的,筒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面上沿周向還連接有可沿中空柱狀結(jié)構(gòu)的軸向方向滑動或滾動的支撐件。
另一方面,本發(fā)明實施例提供一種鍍膜裝置,包括:如上所述的離子源;還包括:與離子源連接的傳送裝置,傳送裝置用于帶動離子源沿自身軸線的延伸方向移動。
可選的,該鍍膜裝置還包括:旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置,旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置用于驅(qū)動離子源沿自身軸線旋轉(zhuǎn)。
再一方面,本發(fā)明實施例提供一種鍍膜方法,包括:
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





