[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810654019.6
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN109119385A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 孫永訓;崔楨煥;玄錫勳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

第一層，包括所述半導體封裝件的第一面板以及一個或多個第一半導體芯片，所述一個或多個第一半導體芯片中的每一個具有暴露在所述一個或多個第一半導體芯片的第一表面處的一個或多個第一焊盤；

第二層，安置在所述第一層上方，所述第二層包括所述半導體封裝件的第二面板以及一個或多個第二半導體芯片，所述一個或多個第二半導體芯片中的每一個具有暴露在所述一個或多個第二半導體芯片的第二表面處的一個或多個第二焊盤；以及

第一再分布層，插入于所述第一層與所述第二層之間以及電連接到所述一個或多個第一焊盤，

其中所述第一層進一步包括一個或多個第一面板通孔，所述一個或多個第一面板通孔在與所述第一面板的厚度方向對應的豎直方向上延伸穿過所述第一面板，以及電連接到所述第一再分布層。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一面板具有容納所述一個或多個第一半導體芯片的一個或多個空腔，以及

所述第二面板具有容納所述一個或多個第二半導體芯片的一個或多個空腔。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述一個或多個第一半導體芯片以及所述一個或多個第二半導體芯片安置為使得所述第一表面以及所述第二表面跨所述第一再分布層彼此面對，以及

所述一個或多個第二焊盤電連接到所述第一再分布層。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，進一步包括插入于所述一個或多個第二焊盤與所述第一再分布層之間的一個或多個凸塊，以及

其中所述一個或多個第二焊盤以及所述第一再分布層通過所述一個或多個凸塊彼此電連接。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中所述一個或多個第二焊盤具有朝向所述第一再分布層突出的一個或多個突出部，以及

所述第一再分布層具有容置所述一個或多個突出部的一個或多個凹槽。

6.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中所述第一再分布層的頂部表面大體上平坦，所述一個或多個第二焊盤中的每一個的底部表面大體上平坦，以及所述第一再分布層的所述頂部表面與所述一個或多個第二焊盤中的每一個的所述底部表面形成大體上平坦的界面，所述第一再分布層沿著所述界面電連接到所述一個或多個第二焊盤。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一層包括一個或多個硅通孔，所述一個或多個硅通孔在所述豎直方向上從所述一個或多個第一焊盤延伸穿過所述一個或多個第一半導體芯片的其余部分。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中所述一個或多個第一半導體芯片在所述豎直方向上的高度等于所述第一層在所述豎直方向上的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第二層包括一個或多個第二面板通孔，所述一個或多個第二面板通孔在所述豎直方向上延伸穿過所述第二面板以及電連接到所述第一再分布層。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝件，進一步包括堆疊在所述第二層上的第二再分布層，其中所述一個或多個第二焊盤以及所述一個或多個第二面板通孔電連接到所述第二再分布層。

11.根據權利要求9所述的半導體封裝件，進一步包括插入于所述一個或多個第二面板通孔與所述第一再分布層之間的一個或多個凸塊，以及

其中所述一個或多個第二面板通孔以及所述第一再分布層通過所述一個或多個凸塊彼此電連接。

12.根據權利要求9所述的半導體封裝件，其中所述一個或多個第二面板通孔具有朝向所述第一再分布層突出的一個或多個突出部，以及

所述第一再分布層具有容置所述一個或多個突出部的一個或多個凹槽。