[發(fā)明專利]一種復(fù)合薄膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810653476.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN108766631A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王旭;褚繁;錢娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫眾創(chuàng)未來科技應(yīng)用有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14
• 代理公司: 廣州市百拓共享專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44497
• 代理人: 盧剛

本發(fā)明的具有低溫制備、高導(dǎo)電性、高透光性的薄型化復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，設(shè)置于光電元件的基材及至少一個(gè)金屬電極之間，其特征在于：該薄膜結(jié)構(gòu)具有第一透明層、導(dǎo)電層及第二透明層。該第一透明層為半導(dǎo)體透明導(dǎo)電薄膜，沉積在該基材的一側(cè)面；該導(dǎo)電層為納米級(jí)的導(dǎo)電薄膜，沉積在該第一透明層的一側(cè)面，第二透明層為氧化物透明導(dǎo)電薄膜，沉積在該導(dǎo)電層的一側(cè)面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種透明導(dǎo)電薄膜，具有薄型化三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，于低溫制備完成，并具有高導(dǎo)電性及高穿透率的復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

一般常見的光電元件如發(fā)光二極體(LED)、平面顯示器(FPD)、太陽能電池、觸摸式面板屏幕及電子書等，其內(nèi)部是具有透明的導(dǎo)電薄膜作為傳導(dǎo)橋梁，是不可或缺的結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)電薄膜必須同時(shí)具備良好的導(dǎo)電特性與光穿透度。

一般透明導(dǎo)電薄膜分為兩種，第一種是金屬薄膜，當(dāng)金屬厚度約10nm時(shí)，金屬薄膜會(huì)具有透光性，但實(shí)際上大部分的金屬在沉積成厚度約10nm時(shí)，需要良好的工藝控制，避免形成島狀不連續(xù)薄膜，同時(shí)，金屬薄膜對(duì)于所使用環(huán)境較為敏感，如溫度、濕度以及氧化等，均可能造成金屬薄膜物化性質(zhì)產(chǎn)生質(zhì)變而影響元件效果。第二種是氧化物透明導(dǎo)電薄膜，可以穩(wěn)定保有其光電物理性質(zhì)，但氧化物透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性相較金屬薄膜較差，需增加其厚度來達(dá)到優(yōu)異的導(dǎo)電特性，對(duì)光的穿透度就會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，提出一種半導(dǎo)體-金屬-半導(dǎo)體的復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)可以薄化透明導(dǎo)電薄膜厚度且不形成島狀不連續(xù)薄膜，仍具有高導(dǎo)電性以及高光穿透率。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明的具有低溫制備、高導(dǎo)電性、高透光性的薄型化復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，設(shè)置于光電元件的基材及至少一個(gè)金屬電極之間，其特征在于：該薄膜結(jié)構(gòu)具有第一透明層、導(dǎo)電層及第二透明層。該第一透明層為半導(dǎo)體透明導(dǎo)電薄膜，沉積在該基材的一側(cè)面；該導(dǎo)電層為納米級(jí)的導(dǎo)電薄膜，沉積在該第一透明層的一側(cè)面，第二透明層為氧化物透明導(dǎo)電薄膜，沉積在該導(dǎo)電層的一側(cè)面。

其中，該第一透明層與第二透明層通過物理或化學(xué)沉積方式形成，且該第一透明層和該第二透明層的材質(zhì)皆為氧化物透明導(dǎo)電薄膜，氧化物透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦和氧化鋅，其組成是為Ga_xTi_yZn_1-x-yO，且0<x<1，0<y<1，1-x-y>0，而該第一透明層的厚度與第二透明層的厚度總和為70-140納米。

該導(dǎo)電層的材質(zhì)是通過物理或化學(xué)沉積方式形成薄化金屬或石墨烯薄膜，薄化金屬是具有高導(dǎo)電系數(shù)的金屬，如金、銀、銅、鈦、鋁、鎢或其合金等。該導(dǎo)電層厚度是介于10-25納米。

本發(fā)明提供的一種于低溫下制備的具有高導(dǎo)電性及高穿透率的薄型化復(fù)合薄膜。其應(yīng)用于光電元件內(nèi)，具有高導(dǎo)電性及兼具高透光度等物理特性，且于低溫下制備此復(fù)合結(jié)構(gòu)，使所應(yīng)用的光電元件可達(dá)到更佳的運(yùn)作效率。

附圖說明

為了清楚了解本發(fā)明的內(nèi)容，參考以下附圖。

圖1是實(shí)施例的剖面示意圖。

圖2是實(shí)施例在未經(jīng)高溫?zé)崽幚淼膶?dǎo)電層的各厚度針對(duì)電阻測(cè)試的曲線圖。

圖3是實(shí)施例的光穿透率測(cè)量圖。

具體實(shí)施方式