[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810653404.9
• 申請(qǐng)日: 2018-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN108878656B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇日御光伏新材料科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
• 代理公司: 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11588
• 代理人: 陶長(zhǎng)清

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供N型單晶硅片，對(duì)所述N型單晶硅片進(jìn)行制絨處理，在所述N型單晶硅片的上表面形成金字塔結(jié)構(gòu)絨面層；

2)在所述N型單晶硅片的上表面沉積N型非晶硅層，然后通過熱處理使得N型非晶硅層晶轉(zhuǎn)化為N型多晶硅層，其中N型多晶硅層的摻雜濃度小于所述N型單晶硅片的摻雜濃度；

3)在所述N型多晶硅層的表面沉積無機(jī)絕緣薄層，所述無機(jī)絕緣薄層的厚度為1-2納米；

4)在步驟3得到的所述N型單晶硅片的上表面旋涂含有Cu₉S₅納米晶和Spiro-OMeTAD的第一氯苯溶液，其中，第一氯苯溶液中Spiro-OMeTAD的濃度為10-15mg/ml，Cu₉S₅納米晶的濃度為0.05-0.15mg/ml，旋涂的轉(zhuǎn)速為4000-5000轉(zhuǎn)/分鐘，然后進(jìn)行第一退火處理，形成第一Spiro-OMeTAD層；

5)在步驟4得到的所述N型單晶硅片的上表面旋涂含有Cu₉S₅納米晶和Spiro-OMeTAD的第二氯苯溶液，其中，第二氯苯溶液中Spiro-OMeTAD的濃度為10-15mg/ml，Cu₉S₅納米晶的濃度為0.2-0.3mg/ml，旋涂的轉(zhuǎn)速為3000-4000轉(zhuǎn)/分鐘，然后進(jìn)行第二退火處理，形成第二Spiro-OMeTAD層；

6)在步驟5得到的所述N型單晶硅片的上表面旋涂含有銀納米線的第一PEDOT:PSS溶液，所述第一PEDOT:PSS溶液中銀納米線的濃度為0.1-0.2mg/ml，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500-5500轉(zhuǎn)/分鐘，然后進(jìn)行第三退火處理，形成第一PEDOT:PSS層；

7)在步驟6得到的所述N型單晶硅片的上表面旋涂含有銀納米線的第二PEDOT:PSS溶液，所述第二PEDOT:PSS溶液中銀納米線的濃度為0.3-0.5mg/ml，旋涂的轉(zhuǎn)速為2500-3500轉(zhuǎn)/分鐘，然后進(jìn)行第四退火處理，形成第二PEDOT:PSS層；

8)在所述步驟7得到的所述N型單晶硅片的上表面制備正面銀柵電極；

9)在所述步驟8得到的所述N型單晶硅片的下表面制備背面鋁電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(2)中，所述N型多晶硅層的摻雜濃度為10¹⁵cm^-3-10¹⁷cm^-3，所述N型單晶硅片的摻雜濃度為10¹⁶cm^-3-10¹⁸cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述無機(jī)絕緣薄層為氧化鋯、氧化硅、氧化鋁中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(4)中，所述第一退火處理的溫度為90-100℃，所述第一退火處理的退火時(shí)間為10-20分鐘，所述第一Spiro-OMeTAD層的厚度為10-20納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(5)中，所述第二退火處理的溫度為100-110℃，所述第二退火處理的退火時(shí)間為15-25分鐘，所述第二Spiro-OMeTAD層的厚度為20-30納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(6)中，所述第三退火處理的溫度為115-125℃，所述第三退火處理的退火時(shí)間為20-30分鐘，所述第一PEDOT:PSS層的厚度為15-25納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述步驟(7)中，所述第四退火處理的溫度為105-120℃，所述第四退火處理的退火時(shí)間為30-40分鐘，所述第二PEDOT:PSS層的厚度為35-45納米。