[發明專利]一種高效透氧的ITO靶材擺放-燒結方法

在審

• 申請號: 201810653336.6
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN108530055A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 余永強;馬立云;那嘉;周傳水;向光;王友樂;張玲莉;柯尚文;李雋;康明鋒;范家偉;董永亮
• 申請（專利權）人: 廣東凱盛光伏技術研究院有限公司
• 主分類號: C04B35/457
• 分類號: C04B35/457;C04B35/64
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 左恒峰

本發明公開了一種高效透氧的ITO靶材擺放?燒結方法，步驟如下：1)將ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再對ITO靶坯進行干燥；2)將墊片放置在承燒板上，再在墊片上放置一層直徑0.5～1mm的瓷球，再將ITO靶坯放置在瓷球上；3)將步驟2)設置好ITO靶坯的承燒板放進燒結爐進行燒結，再進行打磨，得到ITO靶材。本發明可以大大提高ITO靶坯燒結時的透氧率，增加了ITO靶材燒結后的密度，提高了ITO靶材的質量，且燒結后ITO靶材底面不會產生墊片印，不會污染靶材，減少了后加工過程中因磨削而造成的靶材消耗。

技術領域

本發明涉及一種高效透氧的ITO靶材擺放-燒結方法。

背景技術

ITO靶材是一種由氧化銦粉末和氧化錫粉末經過成型、燒結而成的黑灰色陶瓷半導體，是生產ITO薄膜的重要原料。經過多年的發展，目前ITO靶材的制備工藝已經比較成熟，方法多種多樣，但是仍然存在燒結不夠充分、加工時間長、生產工藝復雜、生產效率低等問題，ITO靶材的密度還有很大的提升空間。

傳統的工藝在進行ITO靶材燒結時，ITO靶材的擺放主要分為以下兩種方法：1)直接擺放法：將靶坯直接放置在承燒板上，然后一起放進燒結爐中進行燒結，由于靶坯與承燒板相接觸的部位幾乎不透氧，會導致靶坯燒結不充分，靶材成型效果差，該方法已逐漸被淘汰；2)墊片法：先在靶坯下方墊上墊片，再放置在承燒板上，再一起放進燒結爐中進行燒結，該方法可以在一定程度上提高靶材燒結時的透氧率，但靶材燒結后與墊片相接觸的部位會留下大面積的墊片印，靶材的底層受到污染，后續打磨操作的磨削量大，不僅增加了工藝難度和工藝成本，而且還會對靶材質量造成一定影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高效透氧的ITO靶材擺放-燒結方法。

本發明所采取的技術方案是：

一種高效透氧的ITO靶材擺放-燒結方法，步驟如下：

1)將ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再對ITO靶坯進行干燥；

2)將墊片放置在承燒板上，再在墊片上放置一層直徑0.5～1mm的瓷球，再將ITO靶坯放置在瓷球上；

3)將步驟2)設置好ITO靶坯的承燒板放進燒結爐進行燒結，再進行表面打磨，得到ITO靶材。

步驟1)所述干燥的溫度為100～500℃，干燥時間為50～100h。

步驟2)所述瓷球為耐1800℃以上高溫的瓷球。

步驟2)所述瓷球為氧化鋯球。

步驟2)所述瓷球均勻分布在墊片上。

步驟2)所述墊片的材質為剛玉-莫來石、硅酸鈣中的一種。

步驟3)所述燒結的溫度為1000～1700℃，燒結時間為20～40h。

本發明的有益效果是：本發明可以大大提高ITO靶坯燒結時的透氧率，增加了ITO靶材燒結后的密度，提高了ITO靶材的質量，且燒結后ITO靶材底面不會產生墊片印，不會污染靶材，減少了后加工過程中因磨削而造成的靶材消耗。

1)本發明在ITO靶坯下面設置一層瓷球后再進行燒結，避免了ITO靶坯和墊片直接接觸，且ITO靶坯和瓷球之間的接觸面積小，提高了ITO靶坯燒結時的透氧率，燒結效果更好；

2)本發明在ITO靶坯下面設置一層瓷球后再進行燒結，瓷球耐高溫性能優異，燒結時不會與ITO靶材發生反應，因此不會對ITO靶材造成污染；

3)本發明在ITO靶坯下面設置一層瓷球后再進行燒結，有利于燒結過程中ITO靶坯內殘余應力的釋放，可以有效避免ITO靶材出現結構缺陷。

附圖說明

圖1為本發明的ITO靶坯的擺放示意圖。