[發(fā)明專利]驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810650913.6 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN109030989B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李創(chuàng)鋒;張威 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市金泰克半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人: | 葛勤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 驗證 固態(tài) 硬盤 掉電 保護 功能 測試 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能的測試方法,包括獲取硬件信號驗證測試數(shù)據(jù)、獲取系統(tǒng)功能驗證測試數(shù)據(jù)和獲取可靠性驗證測試數(shù)據(jù),并判斷相應(yīng)測試數(shù)據(jù)是否滿足預(yù)設(shè)條件的步驟。本發(fā)明的有益效果在于:提供了一種通過多個驗證測試流程快速驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能可靠性的方法,該方法具有流程簡單、低時間復(fù)雜度和易于實現(xiàn)的優(yōu)點,尤其適合當前固態(tài)硬盤測試項目比較多的測試環(huán)境。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能的測試方法。
背景技術(shù)
為了提高電子盤的讀寫性能,大部分固態(tài)硬盤控制器通過內(nèi)部集成RAM或外部擴展RAM方式增加緩存,每次計算機系統(tǒng)內(nèi)存的數(shù)據(jù)寫到固態(tài)硬盤時,都先寫到固態(tài)硬盤的緩存中,固態(tài)硬盤控制器再將緩存中的數(shù)據(jù)寫入到NAND Flash中。因此,在電源沒有任何保護措施的情況下,如果固態(tài)硬盤突然掉電(即外部供電在突發(fā)意外情況下發(fā)生浪涌或斷電),將會造成緩存中的數(shù)據(jù)完全丟失,輕則丟失數(shù)據(jù),重則導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。
為了防止這種情況發(fā)生,需要增加一種機制,稱之為掉電保護,用于預(yù)防固態(tài)硬盤緩存中的數(shù)據(jù)丟失。
掉電保護增加了兩部分功能,一部分是電壓檢測模塊,用于檢測外部電壓過低時,向固態(tài)硬盤控制器產(chǎn)生中斷;另一部分功能則是電源儲能模塊,用于在外部電壓過低時能夠給固態(tài)硬盤提供足夠長時間的續(xù)航能力。當電壓檢測模塊檢測到外部電壓過低時,將產(chǎn)生一個中斷給固態(tài)硬盤控制器,同時電源儲能模塊啟動供電,固態(tài)硬盤控制器接收到中斷之后將固態(tài)硬盤緩存中的數(shù)據(jù)保存至NAND Flash中。整個過程中,電源儲能模塊的持續(xù)續(xù)航能力足以保證固態(tài)硬盤控制器將緩存中的數(shù)據(jù)完全保存至NAND Flash中,從而實現(xiàn)掉電保護。
增加掉電保護功能,將大大增加固態(tài)硬盤的使用安全性,可以滿足對數(shù)據(jù)完整性要求較高的應(yīng)用場合,如航空航天系統(tǒng),國防軍用系統(tǒng),電力系統(tǒng),銀行證券系統(tǒng)等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種流程簡單,可靠性高的驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能的方法。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種驗證固態(tài)硬盤掉電保護功能的測試方法,包括獲取硬件信號驗證測試數(shù)據(jù)、獲取系統(tǒng)功能驗證測試數(shù)據(jù)和獲取可靠性驗證測試數(shù)據(jù),并判斷相應(yīng)測試數(shù)據(jù)是否滿足預(yù)設(shè)條件的步驟。
進一步的,所述硬件信號驗證測試包括獲取掉電保護IC上下電時序測試數(shù)據(jù)和獲取掉電保護時備電時序測試數(shù)據(jù)的步驟;所述系統(tǒng)功能驗證測試包括獲取電容充放電時間數(shù)據(jù)和獲取電容容量檢測數(shù)據(jù)的步驟。
進一步的,所述可靠性驗證測試包括獲取電容常溫壽命測試數(shù)據(jù)、獲取電容低溫壽命測試數(shù)據(jù)和獲取電容高溫壽命測試數(shù)據(jù)的步驟。
進一步的,在所述獲取掉電保護IC上下電時序測試數(shù)據(jù)的步驟中,包括抓取固態(tài)硬盤上電時的上電信號波形及抓取固態(tài)硬盤異常斷電時的斷電信號波形,并判斷所述信號波形是否符合預(yù)設(shè)條件的步驟。
進一步的,在所述獲取掉電保護時備電時序測試數(shù)據(jù)的步驟中,包括抓取固態(tài)硬盤在異常斷電時的時序波形,并判斷波形是否符合預(yù)設(shè)值的步驟。
進一步的,在所述獲取電容充放電時間數(shù)據(jù)的步驟中,包括測量電容從低電平到高電平所需的充電時間和從高電平到監(jiān)測電壓點的放電時間,并判斷充電時間和放電時間是否符合預(yù)設(shè)值的步驟。
進一步的,在所述獲取電容充放電時間數(shù)據(jù)的步驟之后,還包括獲取模擬電容老化后備電時間測試數(shù)據(jù),并判斷備電時間是否符合預(yù)設(shè)條件的步驟。
進一步的,在所述獲取電容容量檢測數(shù)據(jù)的步驟中,包括獲取電容容值檢測精度,并判斷精度是否符合預(yù)設(shè)條件的步驟。
進一步的,在所述獲取掉電保護IC上下電時序測試數(shù)據(jù)的步驟中,還包括驗證掉電保護電壓監(jiān)測點是否能觸發(fā)掉電保護功能的步驟。
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