[發明專利]P型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件

在審

• 申請號: 201810649228.1
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN108767022A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 陳孝業;薛文娟;蔣秀林
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/048
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

本發明公開了一種P型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件，屬于太陽能電池技術領域。該P型晶體硅太陽能電池包括依次設置的正面電極、正面鈍化層、發射極、P型晶體硅基體、背面鈍化層以及背面電極，所述背面鈍化層包括與所述P型晶體基體直接接觸的氧化鎵層。該太陽能電池中，利用氧化鎵層所帶有的負電荷對P型晶體硅基體的背表面進行化學鈍化和場鈍化，降低P型晶體硅基體背表面的硅原子的懸掛鍵和少數載流子數量，從而降低P型晶體硅基體背表面處的少數載流子復合速率，提高太陽能電池的電壓與電流，提升太陽能電池的光電轉換效率，進而提高光伏組件的輸出功率，降低度電成本，提高光伏發電的性價比。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，特別涉及一種P型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件。

背景技術

光伏發電，即直接將太陽能轉化為電能，是一種清潔、可持續性和性價比相對較高的發電方式。晶體硅太陽能電池是光伏發電系統的重要組成部分，晶體硅太陽能電池的光電轉換效率對光伏發電的輸出功率及度電成本有重要影響。

按照晶體硅太陽能電池的中心晶體硅基體的類型劃分，晶體硅太陽能電池可分為P型晶體硅太陽能電池和N型晶體硅太陽能電池。其中P型晶體硅太陽能電池主要包括依次設置的正面電極、正面鈍化層、發射極、P型晶體硅基體、背面鈍化層以及背面電極，背面鈍化層的材料通常為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。

現有的P型晶體硅太陽能電池中少數載流子復合速率較高，限制了太陽能電池光電轉換效率。

發明內容

本發明實施例提供了一種P型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件，用于解決目前P型晶體硅太陽能電池中少數載流子復合速率較高的問題。

具體而言，包括以下的技術方案：

第一方面，本發明實施例提供了一種P型晶體硅太陽能電池，包括依次設置的正面電極、正面鈍化層、發射極、P型晶體硅基體、背面鈍化層以及背面電極，其中，所述背面鈍化層包括與所述P型晶體基體直接接觸的氧化鎵層。

可選地，所述氧化鎵層的厚度為1納米～1000納米。

可選地，所述氧化鎵層的厚度為2納米～150納米。

可選地，所述氧化鎵層的厚度為5納米～60納米。

可選地，所述背面鈍化層還包括設置在所述氧化鎵層上的覆蓋層，所述覆蓋層包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層中的至少一種，所述覆蓋層的厚度在200納米以下。

可選地，所述背面電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極呈線形，所述第二電極設置在所述背面鈍化層上位于所述第一電極以外的區域，且所述第二電極與所述第一電極接觸；所述背面鈍化層設置有過孔，所述第二電極通過所述過孔與所述P型晶體硅基體接觸。

可選地，所述過孔的截面形狀為圓形、線形、正方形、三角形或者邊數5以上的多邊形等。

可選地，截面形狀為圓形的過孔的直徑為10微米～200微米，孔間距為100微米～1000微米。

可選地，截面形狀為線形的過孔的寬度為20微米～100微米，多個線形過孔之間相互平行，相鄰兩個過孔之間的距離為500微米～2000微米。

可選地，所述第二電極覆蓋全部所述背面鈍化層，或者所述第二電極覆蓋部分所述背面鈍化層。

可選地，所述第一電極由銀漿料形成或者由銀鋁漿料形成。

可選地，所述第二電極由鋁漿料形成。

可選地，所述正面鈍化層包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層、碳化硅層中的至少一種，所述正面鈍化層的厚度為60納米～120納米。

可選地，所述正面電極由銀漿料形成。