[發明專利]P型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件

在審

• 申請號: 201810649228.1
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN108767022A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 陳孝業;薛文娟;蔣秀林
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/048
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種P型晶體硅太陽能電池，包括依次設置的正面電極(6)、正面鈍化層(2)、發射極(3)、P型晶體硅基體(1)、背面鈍化層(4)以及背面電極(5)，其特征在于，所述背面鈍化層(4)包括與所述P型晶體基體(1)直接接觸的氧化鎵層(41)。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化鎵層(41)的厚度為1納米～1000納米。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化鎵層(41)的厚度為2納米～150納米。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述背面鈍化層(4)還包括設置在所述氧化鎵層(41)上的覆蓋層(42)，所述覆蓋層(42)包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層、碳化硅層中的至少一種，所述覆蓋層(42)的厚度在200納米以下。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述背面電極(5)包括第一電極(51)和第二電極(52)，所述第一電極(51)呈線形，所述第二電極(52)設置在所述背面鈍化層(4)上位于所述第一電極(51)以外的區域，且所述第二電極(52)與所述第一電極(51)接觸；

所述背面鈍化層(4)設置有過孔(X)，所述第二電極(52)通過所述過孔(X)與所述P型晶體硅基體(1)接觸。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二電極(52)覆蓋全部所述背面鈍化層(4)，或者所述第二電極(52)覆蓋部分所述背面鈍化層(4)。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述正面鈍化層(2)包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層、碳化硅層中的至少一種，所述正面鈍化層(2)的厚度為60納米～120納米。

8.一種P型晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

提供P型晶體硅基體(1)；

在所述P型晶體硅基體(1)的背面形成與所述P型晶體基體(1)直接接觸的氧化鎵層(41)。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎵層(41)通過單原子層沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、常壓化學氣相沉積法或者低壓化學氣相沉積法形成。

10.一種光伏組件，包括依次設置的蓋板、第一封裝膠膜，電池串、第二封裝膠膜和背板，所述電池串包括多個太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池為權利要求1～7任一項所述的P型晶體硅太陽能電池。