[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201810642249.0
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN108538848A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 楊號號;王恩博;張勇;陶謙;胡禺石;呂震宇;盧峰
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/115
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一堆疊結構、貫穿所述第一堆疊結構的第一溝道孔結構，所述第一溝道孔結構頂部還形成有半導體層；

在所述基底表面形成第二堆疊結構；

形成貫穿所述第二堆疊結構以及部分深度的半導體層的第二溝道孔；

對所述第二溝道孔底部的半導體層表面進行氧化處理，形成氧化層；

形成覆蓋所述第二溝道孔內壁的功能層；

去除位于所述第二溝道孔底部的功能層和氧化層，形成第二功能層，并暴露出氧化層下的半導體層；

在第二功能層表面以及暴露的半導體層表面形成第二溝道層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干氧氧化或濕氧氧化工藝對所述第二溝道孔底部的半導體層表面進行氧化處理。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為2nm～10nm。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二溝道孔貫穿所述半導體層的深度為20nm～40nm。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除位于所述第二溝道孔底部的功能層和氧化層，形成第二功能層，并暴露出氧化層下的半導體層之后，以及形成所述第二溝道層之前，還包括：對暴露的半導體層表面進行氧化處理，形成修復層；去除覆蓋半導體層的第二功能層、氧化層以及修復層。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除覆蓋半導體層的第二功能層、氧化層以及修復層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一溝道孔結構包括第一溝道孔、位于所述第一溝道孔側壁表面的第一功能層，位于所述第一功能層表面、第一溝道孔底部表面的第一溝道層以及位于所述第一溝道層表面填充滿所述第一溝道孔的第一溝道介質層；所述第二溝道孔寬度小于所述第一溝道孔寬度。

9.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第二溝道層表面形成填充滿所述第二溝道孔的第二溝道介質層。

10.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一堆疊結構、貫穿所述第一堆疊結構的第一溝道孔結構，所述第一溝道孔結構頂部還形成有半導體層；

位于所述基底表面的第二堆疊結構；

貫穿所述第二堆疊結構以及部分深度的半導體層的第二溝道孔，位于所述半導體層內的第二溝道孔寬度大于位于所述第二堆疊結構內的第二溝道孔寬度；

位于所述第二堆疊結構內的第二溝道孔側壁表面的第二功能層；

位于所述第二功能層表面和所述半導體層內的第二溝道孔內壁的第二溝道層。

11.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述第二功能層還覆蓋位于半導體層內的第二溝道孔側壁，且所述半導體層內的第二功能層與第二溝道孔側壁之間還具有氧化層，第二溝道層位于所述第二功能層表面和所述第二溝道孔底部。

12.根據權利要求10或11所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層為干氧氧化層或濕氧氧化層。

13.根據權利要求10或11所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層的厚度為2nm～10nm。

14.根據權利要求10或11所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅。