[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體封裝的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810641693.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109427761B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 東條啟;小林龍也;內(nèi)田雅之;伊藤宜司;下川一生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L25/18 | 分類號(hào): | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 以及 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備:
基底,具有布線;
第1半導(dǎo)體芯片,具有第1半導(dǎo)體元件部;
第2半導(dǎo)體芯片,具有第2半導(dǎo)體元件部,經(jīng)由上述布線的至少1個(gè)布線與上述第1半導(dǎo)體芯片電連接,上述第2半導(dǎo)體芯片包括:第1區(qū)域,包括上述第2半導(dǎo)體元件部;第1部分,與上述第1區(qū)域連續(xù);第2部分,與上述第1區(qū)域連續(xù),在與第1方向交叉的第2方向上與上述第1部分遠(yuǎn)離,上述第1方向是從上述基底朝向上述第1區(qū)域的方向;槽,由上述第1區(qū)域、上述第1部分及上述第2部分包圍且沿與上述第1方向及上述第2方向分別交叉的第3方向延伸;以及凹口,設(shè)置于上述槽且沿上述槽延伸;以及
絕緣密封部件,至少一部分設(shè)置于上述槽,
上述第1半導(dǎo)體芯片的至少一部分、上述第1部分、上述第2部分以及上述槽分別位于上述基底與上述第1區(qū)域之間,所述凹口的延伸方向與用于形成所述絕緣密封部件的絕緣性樹脂的流動(dòng)方向一致。
2.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備:
基底,具有布線;
第1半導(dǎo)體芯片,具有第1半導(dǎo)體元件部;
第2半導(dǎo)體芯片,具有第2半導(dǎo)體元件部,經(jīng)由上述布線的至少1個(gè)布線與上述第1半導(dǎo)體芯片電連接,上述第2半導(dǎo)體芯片包括:第1區(qū)域,包括上述第2半導(dǎo)體元件部;第1部分,與上述第1區(qū)域連續(xù);第2部分,與上述第1區(qū)域連續(xù),在與第1方向交叉的第2方向上與上述第1部分遠(yuǎn)離,上述第1方向是從上述基底朝向上述第1區(qū)域的方向;第3部分,與上述第1區(qū)域連續(xù),在與上述第1方向及上述第2方向分別交叉的第3方向上與上述第1部分以及上述第2部分遠(yuǎn)離;第4部分,與上述第1區(qū)域連續(xù),在上述第2方向上與上述第3部分遠(yuǎn)離,在上述第3方向上與上述第1部分以及上述第2部分遠(yuǎn)離;槽,分別沿上述第2方向及上述第3方向延伸;以及凹口,設(shè)置于上述槽且沿上述槽延伸;以及
絕緣密封部件,至少一部分設(shè)置于上述槽,
上述第1半導(dǎo)體芯片的至少一部分、上述第1部分至上述第4部分以及上述槽分別位于上述基底與上述第1區(qū)域之間,所述凹口的延伸方向與用于形成所述絕緣密封部件的絕緣性樹脂的流動(dòng)方向一致。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述絕緣密封部件設(shè)置于上述基底之上,包圍上述第1半導(dǎo)體芯片以及上述第2半導(dǎo)體芯片。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述第1區(qū)域包括平面,
上述平面在上述第2方向和上述第3方向上擴(kuò)展,
上述第1半導(dǎo)體芯片的至少一部分位于上述槽。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述第2半導(dǎo)體芯片還具備與上述第2半導(dǎo)體元件部電連接的墊片電極,
上述墊片電極在上述第1方向上位于上述第1部分之上。
6.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述半導(dǎo)體裝置還具備與上述第1半導(dǎo)體芯片電連接的第3半導(dǎo)體芯片,
上述第1區(qū)域位于上述第1半導(dǎo)體芯片與上述第3半導(dǎo)體芯片之間。
7.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述半導(dǎo)體裝置還具備在上述第2半導(dǎo)體芯片之上沿上述第1方向?qū)盈B的多個(gè)半導(dǎo)體芯片,
上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片的至少1個(gè)具有在上述第1方向上與上述第1部分以及上述第2部分的至少1個(gè)重疊的第7部分、從上述第2半導(dǎo)體芯片外伸的第8部分、半導(dǎo)體元件部以及與上述半導(dǎo)體元件部電連接的墊片電極,
上述墊片電極配置于上述第8部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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