[發明專利]一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置

在審

• 申請號: 201810637809.3
• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN110619915A
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 龍冬慶;溫靖康;張美洲
• 申請（專利權）人: 深圳市芯天下技術有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 44217 深圳市順天達專利商標代理有限公司
• 代理人: 郭偉剛

本發明公開了一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置。所述方法包括：在待處理的非易失性存儲器中選擇已擦除處理的儲存單元列陣，對所選的儲存單元列陣進行至少一次預弱編程處理，對預弱編程處理后的儲存單元列陣進行完整弱編程處理。本發明提供的過擦除處理方法，將大量處于過擦除狀態的存儲單元依次經過至少一次預弱編程處理，使處于過擦除狀態的存儲單元電性特性盡量收斂，再執行完整弱編程操作，這樣處理過程中弱編程電流將會明顯降低，弱編程的效率也會大幅提高，能夠節省弱編程時間，從而節省了芯片的擦除時間。

技術領域

本發明涉及非易失性存儲器擦除技術領域，特別涉及一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置。

背景技術

在非易失性存儲器產品測試和使用過程中，都會進行電擦除操作，隨著制造工藝的日益更新迭代，可以支持的同時擦除的非易失性存儲單元越來越多，由于存儲單元的電性特征不一，同時，為了加快擦除步驟的過程，一般都會施加比較強的擦除條件來進行擦除，為了使數目眾多的非易失性存儲單元都滿足已擦除好的條件，在這種情況下，必然存在一些存儲單元出現過擦除的狀態。

通常情況下，在擦除操作過程中，需要對過擦除的存儲單元做弱編程操作把處于過擦除狀態的存儲單元編程到正常的擦除狀態，以完成整個存儲器的擦除操作，傳統過擦除處理方法的操作流程如下：

1：在已擦除存儲單元列陣的第一根字線上施加一個檢查是否需要弱編程的處理電壓Vspgm_check，處于同一存儲單元陣列的其他未選中字線施加零電壓；

2：檢查施加Vspgm_check電壓的字線上所有存儲單元的閾值電壓是否大于或等于Vspgm_check，如果是，則結束當前字線上的檢查操作，進入到下一個字線上的存儲單元檢查工作，反之，記錄下閾值電壓小于Vspgm_check的存儲單元的位線地址，并對檢查后閾值電壓小于Vspgm_check的存儲單元進行弱編程操作，直至該字線上的儲存單元均恢復到正常的擦除狀態；

3：對下一根字線重復上述步驟1和2的檢測和弱編程操作，直至儲存單元列陣中每根字線的儲存單元都恢復到正常的擦除狀態。

然而，由于儲存單元列陣前排字線上過擦除狀態比后面過擦除狀態嚴重一些，傳統的過擦除處理方法需要先將前排過擦除狀態嚴重的字線先處理好后，再處理后排字線，這樣過擦除狀態處理效率低下，致使存儲器的擦除操作時間長，難以滿足現有存儲器的高速數據存儲操作需求。

發明內容

為了解決現有技術的問題，本發明實施例提供了一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置。所述技術方案如下：

一方面，本發明實施例提供了一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法，所述方法包括：

在待處理的非易失性存儲器中選擇已擦除處理的儲存單元列陣；

對所選的儲存單元列陣進行至少一次預弱編程處理，所述預弱編程處理包括：依次對所選的儲存單元列陣中的每根字線進行一次過擦除狀態檢測，并對未通過過擦除狀態檢測的字線進行一次弱編程處理；

對預弱編程處理后的儲存單元列陣進行完整弱編程處理，所述完整弱編程處理包括：依次對所選的儲存單元列陣中的每根字線進行至少一次過擦除狀態檢測，并對未通過過擦除狀態檢測的字線進行至少一次弱編程處理，直至每根字線都通過過擦除狀態檢測。

在本發明實施例上述的過擦除處理方法中，對所選的儲存單元列陣中字線進行過擦除狀態檢測，包括：

為所選的儲存單元列陣中的字線上施加一個過擦除檢測電壓，并為所選的儲存單元列陣中其他未施加過擦除檢測電壓的字線施加一個防漏電電壓；

依次檢測施加有過擦除檢測電壓的字線上每個儲存單元的閥值電壓是否小于或等于過擦除檢測電壓；