[發(fā)明專利]一種新型非易失性存儲(chǔ)器的過擦除處理方法和裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810637809.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110619915A | 公開（公告）日： | 2019-12-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龍冬慶;溫靖康;張美洲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市芯天下技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/34 | 分類號(hào)： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 44217 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 郭偉剛 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)橫*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 編程 過擦除 儲(chǔ)存單元 列陣 非易失性存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)單元 擦除 次預(yù) 方法和裝置 編程操作 編程電流 電性特性 收斂 芯片 | ||
1.一種新型非易失性存儲(chǔ)器的過擦除處理方法，其特征在于，所述方法包括：
在待處理的非易失性存儲(chǔ)器中選擇已擦除處理的儲(chǔ)存單元列陣；
對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行至少一次預(yù)弱編程處理，所述預(yù)弱編程處理包括：依次對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣中的每根字線進(jìn)行一次過擦除狀態(tài)檢測，并對(duì)未通過過擦除狀態(tài)檢測的字線進(jìn)行一次弱編程處理；
對(duì)預(yù)弱編程處理后的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行完整弱編程處理，所述完整弱編程處理包括：依次對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣中的每根字線進(jìn)行至少一次過擦除狀態(tài)檢測，并對(duì)未通過過擦除狀態(tài)檢測的字線進(jìn)行至少一次弱編程處理，直至每根字線都通過過擦除狀態(tài)檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣中字線進(jìn)行過擦除狀態(tài)檢測，包括：
為所選的儲(chǔ)存單元列陣中的字線上施加一個(gè)過擦除檢測電壓，并為所選的儲(chǔ)存單元列陣中其他未施加過擦除檢測電壓的字線施加一個(gè)防漏電電壓；
依次檢測施加有過擦除檢測電壓的字線上每個(gè)儲(chǔ)存單元的閥值電壓是否小于或等于過擦除檢測電壓；
當(dāng)檢測的字線中存在有儲(chǔ)存單元的閥值電壓小于或等于過擦除檢測電壓時(shí)，則檢測的字線未通過過擦除狀態(tài)檢測。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)未通過過擦除狀態(tài)檢測的字線進(jìn)行弱編程處理，包括：
為檢測的字線中每個(gè)檢測不通過的儲(chǔ)存單元，對(duì)應(yīng)的字線施加一個(gè)弱編程操作電壓，且其對(duì)應(yīng)的位線施加一個(gè)位線處理電壓，并為所選的儲(chǔ)存單元列陣中其他未施加弱編程操作電壓的字線施加一個(gè)防漏電電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述防漏電電壓的范圍為：-4V～-2V，所述過擦除檢測電壓的范圍為：1.5V～2.0V，所述位線處理電壓的范圍為：3.8V～4.2V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行至少一次預(yù)弱編程處理，包括：
對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行兩次預(yù)弱編程處理。
6.一種新型非易失性存儲(chǔ)器的過擦除處理裝置，其特征在于，包括：
選擇模塊，用于在待處理的非易失性存儲(chǔ)器中選擇已擦除處理的儲(chǔ)存單元列陣；
處理模塊，用于對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行至少一次預(yù)弱編程處理，所述預(yù)弱編程處理包括：依次對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣中的每根字線進(jìn)行一次過擦除狀態(tài)檢測，并對(duì)未通過過擦除狀態(tài)檢測的字線進(jìn)行一次弱編程處理；
所述處理模塊，還用于對(duì)預(yù)弱編程處理后的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行完整弱編程處理，所述完整弱編程處理包括：依次對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣中的每根字線進(jìn)行至少一次過擦除狀態(tài)檢測，并對(duì)未通過過擦除狀態(tài)檢測的字線進(jìn)行至少一次弱編程處理，直至每根字線都通過過擦除狀態(tài)檢測。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊，包括：
第一施加單元，用于為所選的儲(chǔ)存單元列陣中的字線上施加一個(gè)過擦除檢測電壓，并為所選的儲(chǔ)存單元列陣中其他未施加過擦除檢測電壓的字線施加一個(gè)防漏電電壓；
檢測單元，用于依次檢測施加有過擦除檢測電壓的字線上每個(gè)儲(chǔ)存單元的閥值電壓是否小于或等于過擦除檢測電壓；
判斷單元，用于當(dāng)檢測的字線中存在有儲(chǔ)存單元的閥值電壓小于或等于過擦除檢測電壓時(shí)，則檢測的字線未通過過擦除狀態(tài)檢測。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊，還包括：
第二施加單元，用于為檢測的字線中每個(gè)檢測不通過的儲(chǔ)存單元，對(duì)應(yīng)的字線施加一個(gè)弱編程操作電壓，且其對(duì)應(yīng)的位線施加一個(gè)位線處理電壓，并為所選的儲(chǔ)存單元列陣中其他未施加弱編程操作電壓的字線施加一個(gè)防漏電電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述防漏電電壓的范圍為：-4V～-2V，所述過擦除檢測電壓的范圍為：1.5V～2.0V，所述位線處理電壓的范圍為：3.8V～4.2V。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊，還用于對(duì)所選的儲(chǔ)存單元列陣進(jìn)行兩次預(yù)弱編程處理。
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