[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810632352.7
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN109103256A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 金柱然
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;何沖

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

鰭型圖案，位于襯底上；

第一柵極結構，位于所述鰭型圖案上，所述第一柵極結構包括第一柵極間隔件及沿所述第一柵極間隔件的側壁延伸的第一柵極絕緣層；

第二柵極結構，位于所述鰭型圖案上，所述第二柵極結構與所述第一柵極結構間隔開，且包括第二柵極間隔件及沿所述第二柵極間隔件的側壁延伸的第二柵極絕緣層；

一對虛設間隔件，位于所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間；

分離溝槽，位于所述一對虛設間隔件之間，所述分離溝槽具有由所述一對虛設間隔件及所述鰭型圖案界定的側壁；

裝置隔離層，位于所述分離溝槽的一部分中；以及

連接導電圖案，位于所述裝置隔離層上且位于所述分離溝槽中，所述連接導電圖案接觸所述一對虛設間隔件。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述第一柵極絕緣層及所述第二柵極絕緣層包含高介電常數介電材料；以及

包含所述高介電常數介電材料的絕緣層不形成在所述連接導電圖案與所述一對虛設間隔件之間。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述裝置隔離層突出在所述鰭型圖案的上表面之上。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述分離溝槽包括上部部分及下部部分，且

所述裝置隔離層填充所述分離溝槽的所述下部部分。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述裝置隔離層包括：

絕緣襯里，沿所述分離溝槽的所述下部部分的內表面延伸；以及

填充絕緣層，位于所述絕緣襯里上。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述第一柵極結構還包括位于所述第一柵極絕緣層上的第一柵極電極；且

所述第一柵極電極的寬度不同于所述連接導電圖案的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中從所述鰭型圖案的上表面到所述第一柵極間隔件中的一者的上表面的高度等于從所述鰭型圖案的所述上表面到所述一對虛設間隔件中的一者的上表面的高度。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中從所述分離溝槽的底表面到所述鰭型圖案的上表面的高度小于所述鰭型圖案的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述第一柵極結構還包括柵極電極及位于所述柵極電極上的頂蓋圖案，且

所述頂蓋圖案的上表面與所述第一柵極間隔件中的一者的上表面共面。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

鰭型圖案，位于襯底上；

第一柵極結構，位于所述鰭型圖案上，所述第一柵極結構包括第一柵極間隔件以及第一柵極電極，所述第一柵極間隔件界定第一柵極溝槽，且所述第一柵極電極填充所述第一柵極溝槽的至少一部分；

第二柵極結構，位于所述鰭型圖案上，所述第二柵極結構包括第二柵極間隔件以及第二柵極電極，所述第二柵極間隔件界定第二柵極溝槽，且所述第二柵極電極填充所述第二柵極溝槽的至少一部分；

虛設間隔件，位于所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間；

分離溝槽，位于所述虛設間隔件之間，所述分離溝槽具有由所述虛設間隔件及所述鰭型圖案界定的側壁；

裝置隔離層，位于所述分離溝槽的一部分中；以及

連接導電圖案，位于所述裝置隔離層上且位于所述分離溝槽中，所述連接導電圖案的寬度大于所述第一柵極電極及所述第二柵極電極中的每一者的寬度。