[發(fā)明專利]一種通過電沉積法在Mo襯底上沉積高質(zhì)量Cu薄膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810627346.2 | 申請日： | 2018-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN108977860B | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張照景;敖建平;畢金蓮;郭佳佳;高青;孫國忠;周志強(qiáng);劉芳芳;張毅;孫云 | 申請（專利權(quán)）人： | 南開大學(xué) |
| 主分類號： | C25D3/38 | 分類號： | C25D3/38;C23C14/18;C23C14/35;C23F1/18;C25D5/38;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津耀達(dá)律師事務(wù)所 12223 | 代理人： | 廖曉榮 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 通過 沉積 mo 襯底 質(zhì)量 cu 薄膜 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種通過電沉積法在Mo襯底上沉積高質(zhì)量Cu薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
第1步、以Mo為襯底，在襯底上制備出覆蓋不完全的薄層Cu薄膜；
第2步、將第1步覆蓋不完全的薄層Cu薄膜浸泡在稀鹽酸溶液中，生成Cu納米顆粒；
第3步、以第2步生成的表面存在Cu納米顆粒的Mo為襯底，在含有Cu元素的鹽溶液中電沉積得到Cu薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過電沉積法在Mo襯底上沉積高質(zhì)量Cu薄膜的方法，其特征在于，所述的Mo襯底是以鈣鈉玻璃為襯底，通過磁控濺射的方法在鈣鈉玻璃上制備而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過電沉積法在Mo襯底上沉積高質(zhì)量Cu薄膜的方法，其特征在于，第1步所述覆蓋不完全的薄層Cu薄膜通過電沉積、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積或蒸發(fā)的方法制備而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過電沉積法在Mo襯底上沉積高質(zhì)量Cu薄膜的方法，其特征在于，第2步所述的Cu納米顆粒的尺寸與密度通過在稀鹽酸溶液中浸泡的時間調(diào)控。
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