[發明專利]用于半導體裝置制造的襯底處理方法

有效

• 申請號: 201810626640.1
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN109148279B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 拉馬·I·赫格德
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種方法，其特征在于，包括：

在氧化物層上沉積第一金屬層，所述氧化物層形成于鍺襯底的頂表面處；

在所述第一金屬層上沉積第一金屬氧化物層，所述第一金屬氧化物層包括與所述第一金屬層相同的金屬材料；以及

在第一退火處理期間，將所述第一金屬層連同所述氧化物層與所述第一金屬氧化物層組合以形成介電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層與所述第一金屬層反應以在所述第一退火處理期間去除所述氧化物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層通過原子層沉積(ALD)處理進行沉積。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為10埃或更小。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述介電層上沉積柵極材料層，并且圖案化所述柵極材料層以形成晶體管柵極和柵極電介質，所述柵極電介質包括所述介電層的一部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵極材料包括鈦材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層包括鉿(Hf)材料并且所述第一金屬氧化物層包括鉿材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成于鍺襯底的頂表面處的所述氧化物層被表征為鍺氧化物(GeO_X)層。

9.一種方法，其特征在于，包括：

在鍺氧化物(GeO_X)層上沉積金屬層，所述鍺氧化物層形成于鍺襯底的頂表面處；

在第一退火處理期間，組合所述金屬層和所述鍺氧化物層以形成第一金屬氧化物層；

在所述第一金屬氧化物層上沉積第二金屬氧化物層，所述第二金屬氧化物層包括與所述第一金屬氧化物層相同的金屬材料；以及

在第二退火處理期間，由所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層形成高K介電層。

10.一種方法，其特征在于，包括：

在鍺氧化物(GeO_X)層上沉積第一金屬層，所述鍺氧化物層形成于鍺襯底的頂表面處；

在第一退火處理期間，組合所述第一金屬層和所述鍺氧化物層以形成第一金屬氧化物層；以及

在所述第一金屬氧化物層上沉積第二金屬層，所述第二金屬層包括與所述第一金屬層相同的金屬材料。