[發(fā)明專利]光學(xué)層疊體的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810621617.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109143441A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羽場康弘;幡中伸行 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 住友化學(xué)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G02B5/30 | 分類號(hào): | G02B5/30 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 曹陽 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué)層疊體 制造 聚合物層 光學(xué)膜 聚合性液晶化合物 聚合物形成 粘合劑 粘接劑層 制造工序 殘留量 異物 | ||
1.一種光學(xué)層疊體的制造方法,是制造具備光學(xué)膜(1)、和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物層(2)、且所述聚合物層(2)夾隔著粘合劑或粘接劑層(3)與所述光學(xué)膜(1)層疊而成的光學(xué)層疊體(4)的方法,
該方法包括:
帶有基材膜的聚合物層除靜電運(yùn)送工序(A),將具備長尺寸的基材膜(5)和層疊于所述基材膜(5)上的所述聚合物層(2)、且所述基材膜(5)能夠從所述聚合物層(2)剝離的長尺寸的帶有基材膜的聚合物層(6)一邊除靜電一邊沿長度方向運(yùn)送;
貼合工序(B),對(duì)利用所述帶有基材膜的聚合物層除靜電運(yùn)送工序(A)運(yùn)送的所述帶有基材膜的聚合物層(6),在所述聚合物層(2)側(cè)夾隔著粘合劑或粘接劑層(3)貼合長尺寸的光學(xué)膜(1),得到具備長尺寸的基材膜(5)、所述聚合物層(2)、和夾隔著所述粘合劑或粘接劑層(3)貼合于該聚合物層(2)上的長尺寸的光學(xué)膜(1)、且所述基材膜(5)能夠從所述聚合物層(2)剝離的長尺寸的帶有基材膜的光學(xué)層疊體(7);以及
剝離工序(C),從所述貼合工序(B)中得到的帶有基材膜的光學(xué)層疊體(7)剝離所述基材膜(5)而得到所述光學(xué)層疊體(4),
并且該方法包括基材膜除靜電運(yùn)送工序(D),將所述剝離工序(C)中被剝離后的所述基材膜(5)一邊除靜電一邊沿長度方向運(yùn)送,
所述帶有基材膜的聚合物層除靜電運(yùn)送工序(A)中的除靜電后的所述帶有基材膜的聚合物層(6)的帶電量的絕對(duì)值為0.01kV以上且6kV以下,或者所述基材膜除靜電運(yùn)送工序(D)中的除靜電后的所述基材膜(5)的帶電量的絕對(duì)值為0.01kV以上且6kV以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其中,
在所述帶有基材膜的聚合物層(6)中,所述聚合物層(2)遍及該聚合物層(2)的寬度方向的整體地設(shè)于所述基材膜(5)上,所述基材膜(5)的寬度大于所述聚合物層(2)的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,
在所述帶有基材膜的聚合物層(6)中,在所述基材膜(5)上夾隔著取向?qū)?8)層疊所述聚合物層(2),所述取向?qū)?8)遍及寬度方向的整體地層疊于所述基材膜(5)上,所述基材膜(5)的寬度大于所述取向?qū)?8)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,
在所述帶有基材膜的光學(xué)層疊體(7)中,所述聚合物層(2)的寬度大于所述粘合劑或粘接劑層(3)的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,
在所述帶有基材膜的光學(xué)層疊體(7)中,在所述基材膜(5)上夾隔著取向?qū)?8)層疊所述聚合物層(2),所述取向?qū)?8)的寬度大于所述粘合劑或粘接劑層(3)的寬度。
6.一種帶有基材膜的聚合物層的運(yùn)送方法,是將具備長尺寸的基材膜(5)和層疊于所述基材膜(5)上的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物層(2)、且所述基材膜(5)能夠從所述聚合物層(2)剝離的長尺寸的帶有基材膜的聚合物層(6)一邊除靜電一邊沿長度方向運(yùn)送的方法,
除靜電后的所述帶有基材膜的聚合物層(6)的帶電量的絕對(duì)值為0.01kV以上且6kV以下。
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