[發明專利]靜電吸盤、襯底處理裝置以及制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201810620351.0
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN109216251B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 金珉成;樸明修;呂東玧;成德鏞;李秀浩;全允珖
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

一種靜電吸盤、一種襯底處理裝置以及一種制造半導體器件的方法。所述靜電吸盤包括：吸盤基座、位于所述吸盤基座上的絕緣板、包括位于所述絕緣板中的單元加熱器的第一加熱器以及被配置成控制所述單元加熱器的加熱器控制器。所述加熱器控制器獲得所述單元加熱器的電阻且將所述電阻與所述閾值進行比較以控制向所述單元加熱器提供的加熱電力。

技術領域

根據示例性實施例的裝置及方法涉及襯底處理，且更具體來說，涉及一種靜電吸盤、一種襯底處理裝置以及一種使用靜電吸盤及襯底處理裝置制造半導體器件的方法。

背景技術

大體來說，半導體器件是通過應用多個單位工藝制成的。所述單位工藝可包括薄膜沉積工藝、光刻工藝及蝕刻工藝。可主要使用等離子體來執行沉積工藝及蝕刻工藝。等離子體可在高溫條件下對襯底進行處理。靜電吸盤可使用靜電電壓來固持襯底。

發明內容

一個或多個示例性實施例提供一種能夠對自身溫度進行電檢測的靜電吸盤以及一種包括所述靜電吸盤的襯底處理裝置。

一個或多個示例性實施例提供一種能夠提高襯底的溫度均勻性的襯底處理裝置以及一種使用所述襯底處理裝置制造半導體器件的方法。

根據示例性實施例的各個方面，一種靜電吸盤可包括：吸盤基座、位于所述吸盤基座上的絕緣板、包括位于所述絕緣板中的單元加熱器的第一加熱器以及加熱器控制器，其中所述加熱器控制器被配置成通過基于所述單元加熱器的電阻與閾值之間的比較提供加熱電力來控制所述單元加熱器。

根據示例性實施例的各個方面，一種襯底處理裝置可包括：腔室以及位于所述腔室中且在所述靜電吸盤上放置襯底的靜電吸盤。所述靜電吸盤可包括：吸盤基座、位于所述吸盤基座上的絕緣板、包括位于所述絕緣板中的單元加熱器的第一加熱器以及加熱器控制器，其中所述加熱器控制器被配置成通過基于所述單元加熱器的電阻與閾值之間的比較提供加熱電力來控制所述單元加熱器。

根據示例性實施例的各個方面，一種制造半導體器件的方法可包括：獲得單元加熱器的閾值、對襯底進行加熱以及對所述襯底進行蝕刻。對所述襯底進行加熱的步驟可包括：為所述單元加熱器提供加熱電力、測量所述單元加熱器的電阻以及將所述電阻與所述閾值進行比較以控制所述加熱電力。

附圖說明

通過結合附圖閱讀以下詳細說明將更清楚地理解以上及其他方面、特征及其他優點。

圖1示出根據示例性實施例的襯底處理裝置的示意圖。

圖2示出圖1所示靜電吸盤的實例的剖視圖。

圖3示出圖1所示靜電吸盤的實例的分解透視圖。

圖4示出圖3所示上加熱器的實例的平面圖。

圖5示出圖4所示上加熱器的連接關系的方塊圖。

圖6示出圖1所示加熱器電力供應器及加熱器控制器的實例的電路圖。

圖7示出根據示例性實施例的制造半導體器件的方法的流程圖。

圖8示出圖7所示獲得閾值的操作的實例的流程圖。

圖9示出圖8所示測試襯底的平面圖。

圖10示出第一蝕刻速率及第二蝕刻速率如何隨圖9所示測試襯底的溫度變化的曲線圖。

圖11示出圖7所示對襯底進行加熱的操作的實例的流程圖。

圖12示出圖11所示對電阻進行測量的操作的實例的流程圖。

圖13示出圖4所示單元加熱器的電阻變化的曲線圖。

[符號的說明]

10：腔室

12：下殼體