[發明專利]靜電吸盤、襯底處理裝置以及制造半導體器件的方法有效
| 申請號: | 201810620351.0 | 申請日: | 2018-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN109216251B | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發明(設計)人: | 金珉成;樸明修;呂東玧;成德鏞;李秀浩;全允珖 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉培培;黃隸凡 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 襯底 處理 裝置 以及 制造 半導體器件 方法 | ||
1.一種靜電吸盤,其特征在于,包括:
吸盤基座;
絕緣板,位于所述吸盤基座上;
第一加熱器,包括位于所述絕緣板中的單元加熱器;以及
加熱器控制器,被配置成通過基于所述單元加熱器的電阻與閾值之間的比較提供加熱電力來控制所述單元加熱器,
其中所述第一加熱器還包括第一扇形電極,所述第一扇形電極設置在所述單元加熱器與所述加熱器控制器之間且與所述單元加熱器對齊,
其中所述單元加熱器為多個,且所述第一扇形電極為多個,且
其中多個所述第一扇形電極中的每一者包括:
多個電力電極,被配置成向多個所述單元加熱器提供電力;以及
接地電極,被配置成將多個所述單元加熱器接地且設置在所述多個電力電極之間,
其中所述多個電力電極包括:
第一外電極,位于所述接地電極的第一側上;
第一內電極,在所述絕緣板的中心方向上位于所述第一外電極的內側;
第二外電極,位于所述接地電極的第二側上;以及
第二內電極,在所述絕緣板的所述中心方向上位于所述第二外電極的內側,
其中所述接地電極設置在所述第一內電極與所述第二內電極之間以及所述第一外電極與所述第二外電極之間。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤,所述加熱器控制器包括電壓計,所述電壓計被配置成響應于被提供到多個所述單元加熱器的感測電力來檢測多個所述單元加熱器的第一端子與第二端子之間的電壓。
3.根據權利要求2所述的靜電吸盤,所述加熱器控制器還包括:
第一開關,被配置成對所述加熱電力進行開關;以及
第二開關,被配置成對所述感測電力進行開關,且被配置成與所述第一開關的接通操作相反地進行接通。
4.根據權利要求2所述的靜電吸盤,所述加熱器控制器還包括溫度控制器,所述溫度控制器被配置成利用由所述電壓計所檢測到的所述電壓來獲得多個所述單元加熱器的所述電阻,且被配置成響應于所述電阻小于所述閾值來向多個所述單元加熱器提供所述加熱電力。
5.根據權利要求4所述的靜電吸盤,所述溫度控制器被配置成響應于所述電阻大于所述閾值來暫緩多個所述單元加熱器的加熱。
6.根據權利要求1所述的靜電吸盤,多個所述單元加熱器中的每一者包括:
第一外加熱器及第二外加熱器,所述第一外加熱器的第一側及所述第二外加熱器的第一側分別連接到所述第一外電極的第一側及所述第二外電極的第一側;以及
第一內加熱器及第二內加熱器,所述第一內加熱器的第一側及所述第二內加熱器的第一側分別連接到所述第一內電極的第一側及所述第二內電極的第一側,
其中所述接地電極連接到所述第一外加熱器的第二側及所述第二外加熱器的第二側以及所述第一內加熱器的第二側及所述第二內加熱器的第二側。
7.根據權利要求1所述的靜電吸盤,多個所述單元加熱器設置在所述絕緣板的邊緣區上,且
其中所述靜電吸盤還包括:
第二加熱器,包括位于所述第一加熱器與所述吸盤基座之間的多個環形加熱器及位于所述多個環形加熱器與所述吸盤基座之間的多個第二扇形電極,所述多個環形加熱器位于所述絕緣板的中心區上;以及
接地板,位于所述第二加熱器與所述吸盤基座之間且連接到接地電極,所述接地板具有與所述多個第二扇形電極的直徑相同的直徑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





