[發(fā)明專利]用于減小存儲(chǔ)器設(shè)備的輸入/輸出引腳的電容的方法和裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810618907.2
• 申請(qǐng)日: 2018-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN109148466A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.L.卡爾遜;H.朱;G.A.哈勒;J.E.戴維斯;K.G.杜斯曼;J.馬修;M.P.維奧萊特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/115;H01L27/11524
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進(jìn)

1.一種裝置，包括：

層級(jí)，所述層級(jí)包括交替的第一層和第二層，其中第一層包括第一導(dǎo)電材料并且第二層包括第一介電材料；

在層級(jí)下面的下金屬層；

在層級(jí)上面的接合焊盤，接合焊盤通過(guò)延伸穿過(guò)層級(jí)的過(guò)孔耦合到下金屬層；以及

形成的穿過(guò)層級(jí)的部分的第一通道，第一通道圍繞過(guò)孔，第一通道包括第二介電材料。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括穿過(guò)層級(jí)的第二部分的第二通道，第二通道圍繞過(guò)孔，第二通道包括第二介電材料。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中第二通道圍繞第一通道。

4.如權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中通過(guò)應(yīng)用多個(gè)掩模并且用每個(gè)應(yīng)用的掩模蝕刻到層級(jí)的不同深度來(lái)形成第一通道，其中掩模還被用于針對(duì)過(guò)孔形成通道，每個(gè)過(guò)孔耦合到層級(jí)的相應(yīng)的第一層。

5.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中通過(guò)應(yīng)用還被用于形成將存儲(chǔ)器陣列塊與彼此隔離的通道的掩模來(lái)形成第一通道。

6.如權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中在通道的底部處的第一通道的寬度是在3和5微米之間。

7.如權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中在第一通道的任何深度處的第一通道的寬度是在150和300納米之間。

8.如權(quán)利要求1-7中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中第一介電材料和第二介電材料兩者都包括二氧化硅。

9.如權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中第二介電材料包括二氧化硅。

10.如權(quán)利要求1-9中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中層級(jí)的第一層的至少部分形成NAND存儲(chǔ)器陣列的字線的至少部分。

11.一種方法，包括：

在襯底上面形成下金屬層；

形成包括交替的第一層和第二層的層級(jí)，其中第一層包括第一導(dǎo)電材料并且第二層包括第一介電材料；以及

形成穿過(guò)層級(jí)的部分的第一通道，第一通道用于圍繞用于將下金屬層耦合到接合焊盤的過(guò)孔，第一通道包括第二介電材料。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括形成穿過(guò)層級(jí)的第二部分的第二通道，第二通道圍繞過(guò)孔，第二通道包括第二介電材料。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中第二通道圍繞第一通道。

14.如權(quán)利要求11-13中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)應(yīng)用多個(gè)掩模并且用每個(gè)應(yīng)用的掩模蝕刻到層級(jí)的不同深度來(lái)形成第一通道，其中掩模還被用于針對(duì)過(guò)孔形成通道，每個(gè)過(guò)孔耦合到層級(jí)的相應(yīng)的第一層。

15.如權(quán)利要求11-14中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括通過(guò)應(yīng)用還被用于形成將存儲(chǔ)器陣列塊與彼此隔離的通道的掩模來(lái)形成第一通道。

16.如權(quán)利要求11-15中的任一項(xiàng)所述的方法，其中在通道的底部處的第一通道的寬度是在3和5微米之間。

17.如權(quán)利要求11-15中的任一項(xiàng)所述的方法，其中在第一通道的任何深度處的第一通道的寬度是在150和300納米之間。

18.如權(quán)利要求11-17中的任一項(xiàng)所述的方法，其中第一介電材料和第二介電材料兩者都包括二氧化硅。

19.如權(quán)利要求11-18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中第二介電材料包括二氧化硅。