[發明專利]一種半導體無人工全自動流水線作業生產方法和系統在審
| 申請號: | 201810617720.0 | 申請日: | 2018-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN108682644A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 李靜遠;李楠;邱俊杰 | 申請(專利權)人: | 佛山寶芯智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L33/52;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州市科豐知識產權代理事務所(普通合伙) 44467 | 代理人: | 龔元元 |
| 地址: | 528225 廣東省佛山市南海區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱設備 緩存 全自動流水線 半導體封裝 作業生產 無人工 點膠 逐片 加熱 半導體 合格品 產品合格率 不合格品 加熱固化 固晶機 固晶膠 緩存機 通過點 暫存機 膠布 固晶 膠機 檢測 加工 生產 | ||
1.一種半導體無人工全自動流水線作業生產方法,所述的方法包括固晶工序以及在固晶工序之后的點膠或molding工序,其特征在于,所述的方法包括如下步驟:
步驟1:通過固晶機自動將固晶膠布施到LED半導體上;
步驟2:自動出料后通過暫存機將步驟1得到LED半導體中不合格品予以緩存,合格品自動輸送到第一加熱設備;
步驟3:第一加熱設備通過逐片加熱的方式對固晶膠進行加熱;
步驟4:步驟3處理后的LED半導體經過檢測后進行通過點膠機或molding設備進行點膠或molding操作;
步驟5:將點膠或molding操作后的LED半導體經過緩存機緩存一段時間后進行步驟6;
步驟6:將LED半導體逐片輸入到第二加熱設備中進行加熱固化。
2.根據權利要求1所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的步驟3中第一加熱設備為隧道式的固化爐或者垂直循環固化機,所述的LED半導體在第一加熱設備中加熱溫度從70-85℃逐漸升溫至180-190℃,然后再降溫至110-140℃。
3.根據權利要求2所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的第一加熱設備為隧道式的固化爐,所述的第一加熱設備分為8-12個溫度段。
4.根據權利要求3所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,步驟1中的固晶膠為道康寧OE8002,粘度10000-12000cP;
從前至后,其溫度分布為75-85℃、80-90℃、90-130℃、110-155℃、150-175℃、150-175℃、170-185℃、180-190℃、180-190℃、160-170℃、130-150℃、110-120℃。
5.根據權利要求3所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,步驟1中的固晶膠為信越SMP2820銀膠,粘度18000-22000cP;
從前至后,其溫度分布為75-85℃、80-90℃、80-100℃、100-135℃、125-140℃、150-175℃、170-185℃、180-190℃、180-190℃、160-180℃、150-160℃、130-140℃。
6.根據權利要求4或5所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的步驟3中,LED半導體在固化爐中的傳輸速度為600-1200mm/min。
7.根據權利要求1所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的第二加熱設備包括預熱段和加熱段;
所述的LED半導體在預熱段中的加熱溫度為60-130℃;時間為5-10min;
所述的LED半導體在加熱段中的加熱峰值溫度為180-200℃;加熱段中的溫度先升高后降低或先升高后恒溫,時間為10-25min。
8.根據權利要求7所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的步驟5中的緩存時間為2-10min。
9.根據權利要求8所述的半導體無人工全自動流水線作業生產方法,其特征在于,所述的步驟6中,所述的預熱段分為6-8溫區,所述的加熱段分為12-14溫區;所述的預熱段中溫度逐漸升高,起始溫度為70-80℃,結束溫度為90-110℃;所述的加熱段分為12個等長溫區,峰值溫度為180-190℃。
10.一種半導體生產系統,其特征在于,包括依次設置的固晶機、暫存機、第一加熱設備、點膠機或molding設備、緩存機、第二加熱設備,其中所述的暫存機用于將不合格的LED半導體暫存合格的半導體直接輸入到第一加熱設備,所述的緩存機用于逐一對所有的LED半導體進行緩存;
所述的第二加熱設備包括依次布置的預熱段和加熱段;
所述的固晶膠和暫存機之間設有AOI檢測設備,所述的第一加熱設備和點膠機或molding設備之間設有CT-AOI檢測設備,所述的緩存機和第二加熱設備之間設有光電檢測設備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





