[發明專利]存儲器芯片、具有該存儲器芯片的封裝裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201810613811.7
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN109659283B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 成鎮溶;姜浩俊;樸相彬
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H10B80/00;G11C11/406
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

1.一種存儲器芯片，該存儲器芯片包括：

多個存儲器塊，每個存儲器塊包括用于存儲數據的多個存儲器單元；

多個輸入/輸出焊盤，芯片地址被輸入至所述多個輸入/輸出焊盤；

多個外圍電路，所述多個外圍電路被配置為將所述芯片地址編程到所述存儲器塊當中的選定存儲器塊；以及

使能輸入焊盤和使能輸出焊盤，所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤分別被施加用于指示所述芯片地址的輸入狀態的信號，

其中，如果低電平信號被施加到所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤，則所述存儲器芯片處于所述芯片地址輸入之前的狀態，

其中，如果施加到所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤的信號具有不同的電平，則所述存儲器芯片處于輸入所述芯片地址的選定狀態，并且

其中，如果高電平信號被施加到所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤，則所述存儲器芯片處于所述芯片地址輸入之后的狀態。

2.根據權利要求1所述的存儲器芯片，其中，通過所述輸入/輸出焊盤輸入命令和存儲器塊地址。

3.根據權利要求2所述的存儲器芯片，該存儲器芯片還包括控制電路，該控制電路被配置為響應于所述命令和所述存儲器塊地址來控制所述外圍電路將所述芯片地址編程到所述選定存儲器塊。

4.根據權利要求3所述的存儲器芯片，其中，所述存儲器塊地址指示所述選定存儲器塊。

5.一種封裝裝置，該封裝裝置包括：

多個存儲器芯片，每個存儲器芯片包括存儲器塊以及使能輸入焊盤和使能輸出焊盤，不同的芯片地址被存儲至所述存儲器塊，用于指示所述芯片地址的輸入狀態的信號被施加至所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤，

其中，各個所述存儲器芯片包括任一個使能輸入焊盤和任一個使能輸出焊盤，

其中，包括在各個所述存儲器芯片中的所述使能輸入焊盤聯接到其它存儲器芯片中的對應的一個存儲器芯片的使能輸出焊盤，

其中，響應于施加到所述使能輸入焊盤和所述使能輸出焊盤的信號，所述芯片地址被依次輸入到所述存儲器芯片，并且

其中，所述存儲器芯片當中最后輸入所述芯片地址的存儲器芯片中所包括的使能輸出焊盤未聯接到其它存儲器芯片的任一個使能輸入焊盤。

6.根據權利要求5所述的封裝裝置，其中，所述存儲器芯片當中被首先輸入對應的一個芯片地址的第一存儲器芯片中所包括的使能輸入焊盤保持浮置，而未聯接到其它存儲器芯片的任一個使能輸出焊盤。

7.根據權利要求6所述的封裝裝置，其中，所述第一存儲器芯片的使能輸入焊盤的內部輸出保持在正電壓電平。

8.根據權利要求7所述的封裝裝置，其中，當所述芯片地址被施加到所述第一存儲器芯片時，所述第一存儲器芯片將所述第一存儲器芯片的使能輸出焊盤的電位維持在低電平。

9.根據權利要求8所述的封裝裝置，其中，在所述芯片地址被輸入之后，所述第一存儲器芯片將所述第一存儲器芯片的使能輸出焊盤的電位轉變為高電平。

10.根據權利要求8所述的封裝裝置，其中，當所述第一存儲器芯片的使能輸出焊盤的電位轉變為高電平時，其使能輸入焊盤與所述第一存儲器芯片的使能輸出焊盤聯接的第二存儲器芯片被選擇。

11.根據權利要求5所述的封裝裝置，其中，存儲所述芯片地址的所述存儲器塊是包括在相應存儲器芯片中的內容可尋址存儲器CAM塊。

12.根據權利要求11所述的封裝裝置，其中，各個所述CAM塊存儲對應的存儲器芯片中要使用的數據。

13.根據權利要求5所述的封裝裝置，其中，所述存儲器芯片一個層疊在另一個上。