[發明專利]一種發光二極管的芯片及制備方法

在審

• 申請號: 201810613585.2
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN109037414A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 程丁;韋春余;周飚;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;B82Y40/00;B82Y20/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種發光二極管的芯片及制備方法，屬于發光二極管制造領域。芯片包括襯底、外延層、P型電極和N型電極，發光二極管芯片的外延層的第一表面上陣列布置有鉬酸鎳納米片，其中第一表面為外延層的遠離襯底的表面，使外延層的第一表面的粗糙度增大，可以減少發光二極管發出的光線在第一表面處的全反射，從而提高發光二極管的光提取效率，同時，由于鉬酸鎳具有較好的導電性，因此鉬酸鎳納米片也能夠起到良好的電流擴展作用，最終提高發光二極管的發光效率。

技術領域

本發明涉及發光二極管制造領域，特別涉及一種發光二極管的芯片及制備方法。

背景技術

發光二極管(LED：Light Emitting Diode)具有體積小、壽命長、功耗低等優點，目前被廣泛應用于汽車信號燈、交通信號燈、顯示屏以及照明設備。

現有的發光二極管的芯片主要包括襯底、設置在襯底上的外延層和設置在外延層上的P型電極和N型電極，現有的一種發光二極管芯片的出光面位于外延層的遠離襯底的表面。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

由于發光二極管芯片在發光時，有部分光線會在外延片和空氣的界面處發生全反射而反射回芯片的內部，因此導致現有的發光二極管光提取效率低。

發明內容

本發明實施例提供了一種發光二極管的芯片及制備方法，能夠提高發光二極管的光提取效率。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種發光二極管芯片，所述芯片包括襯底、外延層、P型電極和N型電極，所述外延層形成在所述襯底上，所述P型電極設置在所述外延層的第一表面上，所述第一表面為所述外延層的遠離所述襯底的表面，所述外延層上設置有電極凹槽，所述N型電極設置在所述電極凹槽內，

所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域設置有陣列布置的鉬酸鎳納米片。

可選地，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述外延層表面的x方向的長度為1～100nm，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述外延層表面的y方向的長度為1～2nm，所述鉬酸鎳納米片在垂直所述外延層表面的方向的長度為2～200nm，所述x方向與所述y方向相互垂直。

可選地，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的x方向的長度為30～50nm，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的y方向的長度為1～2nm，所述鉬酸鎳納米片在垂直所述第一表面的方向的長度為40～80nm。

本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的制備方法，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長外延層；

在所述外延層上形成電極凹槽；

在所述外延層的第一表面上形成P型電極，在所述電極凹槽內形成N型電極；

在所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域形成陣列布置的鉬酸鎳納米片。

可選地，在所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域形成陣列布置的鉬酸鎳納米片，包括：

在所述第一表面、所述電極凹槽的表面、所述N型電極的表面以及所述P型電極的表面上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光、顯影操作以去除所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域的光刻膠；

在所述光刻膠、所述襯底遠離所述外延層的一面和所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域生長鉬酸鎳納米片；

去除所述光刻膠，以使所述光刻膠和位于所述光刻膠上的鉬酸鎳納米片與所述外延層分離；

去除所述襯底遠離所述外延層的一面上的鉬酸鎳納米片。