[發明專利]一種發光二極管的芯片及制備方法

在審

• 申請號: 201810613585.2
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN109037414A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 程丁;韋春余;周飚;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;B82Y40/00;B82Y20/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片，所述芯片包括襯底、外延層、P型電極和N型電極，所述外延層形成在所述襯底上，所述P型電極設置在所述外延層的第一表面上，所述第一表面為所述外延層的遠離所述襯底的表面，所述外延層上設置有電極凹槽，所述N型電極設置在所述電極凹槽內，其特征在于，

所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域設置有陣列布置的鉬酸鎳納米片。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的x方向的長度為1～100nm，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的y方向的長度為1～2nm，所述鉬酸鎳納米片在垂直所述第一表面的方向的長度為2～200nm，所述x方向與所述y方向相互垂直。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的x方向的長度為30～50nm，所述鉬酸鎳納米片沿平行所述第一表面的y方向的長度為1～2nm，所述鉬酸鎳納米片在垂直所述第一表面的方向的長度為40～80nm。

4.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長外延層；

在所述外延層上形成電極凹槽；

在所述外延層的第一表面上形成P型電極，在所述電極凹槽內形成N型電極；

在所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域形成陣列布置的鉬酸鎳納米片。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域形成陣列布置的鉬酸鎳納米片，包括：

在所述第一表面、所述電極凹槽的表面、所述N型電極的表面以及所述P型電極的表面上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光、顯影操作以去除所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域的光刻膠；

在所述光刻膠、所述襯底遠離所述外延層的一面和所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域生長鉬酸鎳納米片；

去除所述光刻膠，以使所述光刻膠和位于所述光刻膠上的鉬酸鎳納米片與所述外延層分離；

去除所述襯底遠離所述外延層的一面上的鉬酸鎳納米片。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述光刻膠和所述第一表面的位于所述P型電極之外的區域生長鉬酸鎳納米片，包括：

將所述芯片浸泡在盛放有生長溶液的反應杯中，所述芯片上的外延層連接有負極電極，所述反應杯內的生長溶液中放置有電極正極，所述生長溶液包括六水硝酸鎳、二水鉬酸鈉和六亞甲基四氨，所述生長溶液呈堿性。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述生長溶液中鎳元素和鉬元素物質的量濃度之比為1:1，六亞甲基四氨的物質的量濃度為xmmol/L，其中0＜x≤0.5mmol/L。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述正極電極為鎳片電極，所述負極電極為鎳絲電極。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述鎳片電極與所述鎳絲電極之間的電壓的絕對值為0.5～3V。

10.根據權利要求6～9任一項所述的制備方法，其特征在于，所述鉬酸鎳納米片的生長時間為3～9min。