[發明專利]空調器和集成式空調控制器在審
| 申請號: | 201810606677.8 | 申請日: | 2018-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN110594987A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 甘弟;馮宇翔 | 申請(專利權)人: | 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | F24F11/63 | 分類號: | F24F11/63;F24F11/88 |
| 代理公司: | 11201 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 張潤 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 壓縮機驅動電路 芯片 風機驅動電路 壓縮機控制 風機控制 控制器 整流橋 集成式空調 驅動風機 功率因數校正 功率因素校正 空調控制器 驅動 驅動電路 同一基板 芯片集成 高集成 壓縮機 電控 空調器 減小 | ||
本發明公開了一種空調器和集成式空調控制器,其中,控制器包括:基板;設置在基板之上的整流橋;設置在基板之上且與整流橋相連的功率因數校正PFC電路;設置在基板之上驅動壓縮機的壓縮機驅動電路;設置在基板之上驅動風機的風機驅動電路;驅動壓縮機驅動電路的壓縮機控制芯片,壓縮機控制芯片設置在基板之上且與壓縮機驅動電路相連;以及驅動風機驅動電路的風機控制芯片,風機控制芯片設置在基板之上且與風機驅動電路相連。由此,集成式空調控制器通過將整流橋、功率因素校正PFC電路、壓縮機驅動電路、風機驅動電路、壓縮機控制芯片和風機控制芯片集成在同一基板上,實現高集成電控,減小空調控制器體積,降低成本。
技術領域
本發明涉及電控技術領域,特別涉及一種集成式空調控制器以及一種空調器。
背景技術
目前,變頻空調室外電控板主要包括整流橋、PFC(Power Factor Correction,功率因數校正)開關、壓縮機IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊)、風機IPM這四種功率器件。相關技術的變頻空調室外電控板上的這四種功率器件采用各自插針式安裝在PCB板上,然后用同一塊散熱器(翅片)進行集中散熱。但是通過上述四種功率器件各自采用插針式安裝在PCB板上的安裝方式,會導致變頻空調室外電控板的體積較大,而且由于不分插針安裝成本較高。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決上述技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種集成式空調控制器,通過將整流橋、功率因素校正PFC電路、壓縮機驅動電路、風機驅動電路、壓縮機控制芯片和風機控制芯片集成在同一基板上,實現高集成電控,減小空調控制器體積,降低成本。本發明的第二個目的在于提出一種空調器。
為達到上述目的,本發明第一方面實施例提出的集成式空調控制器包括:基板;設置在所述基板之上的整流橋;設置在所述基板之上且與整流橋相連的功率因數校正PFC電路,其中,所述PFC電路包括PFC開關管和PFC二極管;設置在所述基板之上驅動壓縮機的壓縮機驅動電路,其中,所述壓縮機驅動電路包括第一至第六開關管以及與所述第一至第六開關管并聯的第一至第六快速恢復二極管;設置在所述基板之上驅動風機的風機驅動電路,所述風機驅動電路包括第一至第六逆導IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管);驅動所述壓縮機驅動電路的壓縮機控制芯片,所述壓縮機控制芯片設置在所述基板之上且與所述壓縮機驅動電路相連;以及驅動所述風機驅動電路的風機控制芯片,所述風機控制芯片設置在所述基板之上且與所述風機驅動電路相連。
根據本發明實施例的集成式空調控制器,通過將整流橋、功率因素校正PFC電路、壓縮機驅動電路、風機驅動電路、壓縮機控制芯片和風機控制芯片集成在同一基板上,實現高集成電控,減小空調控制器體積,降低成本。
另外,根據本發明上述實施例提出的集成式空調控制器還可以具有如下附加的技術特征:
根據本發明的一個實施例,所述的集成式空調控制器還包括:微控制器,所述微控制器設置在所述基板之上,且所述微控制器與所述壓縮機控制芯片和風機控制器相連。
根據本發明的一個實施例,所述PFC開關管包括SiC MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應管)、SiC IGBT或者GaN材料的HEMT(High Electron Mobility Transistor,高電子遷移率晶體管)器件,PFC二極管為Si材料制器件。
根據本發明的一個實施例,所述第一至第六開關管包括SiC MOSFET、SiC IGBT或者GaN材料的HEMT器件,所述第一至第六快速恢復二極管為Si材料制器件。
根據本發明的一個實施例,所述第一至第六逆導IGBT為Si材料制器件。
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