[發明專利]一種芯片封裝工藝及產品有效
| 申請號: | 201810606043.2 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN110600382B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 何忠亮;徐光澤;沈正 | 申請(專利權)人: | 深圳市鼎華芯泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/67;H01L21/683;H01L23/49 |
| 代理公司: | 深圳世科豐專利代理事務所(特殊普通合伙) 44501 | 代理人: | 杜啟剛 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區新橋街道新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 封裝 工藝 產品 | ||
本發明涉及一種芯片封裝工藝及產品,其公開了一種芯片封裝工藝,由于采用剝離式封裝載板的加工工藝,制作工藝流程更簡單、更環保,且芯片布線設計也有了更大自由度,后續封裝的效率也獲得了極大提高;此外,通過該封裝工藝生產出了品質更可靠、應用更廣的芯片封裝產品,其無電極基板,電極嵌入在封裝膠中,由于沒有傳統QFN電極所附著的筋線的限制,框架間隙更小、所需鍵合線更少,封裝體結構更簡單、設計自由度更高、成本更低。本發明可應用于需要進行芯片加工和設計的各種行業。
技術領域
本公開屬于電子技術領域,特別涉及一種芯片封裝工藝及產品。
背景技術
芯片封裝是集成電路的重要生產環節之一,在現有技術中,通常采用方形扁平無引腳封裝(Quad Flat No-lead Package,QFN)技術,芯片封裝通常是在QFN的支架上完成,封裝工藝較為復雜,且由于支架蝕刻受限于框架銅厚及支撐筋,使得這類框架的精度和應用大大受限制,難以設計孤島電極,增加I/O數會帶來的生產成本和可靠性問題,限制了芯片和PCB板的設計自由度,不適用于可靠性和自由度要求高的芯片的封裝及產業效率的提高。
正是由于現有技術的種種缺陷,目前,亟需獲得一種制作工藝流程更為簡單環保,且可降低生產成本、提高封裝效率的芯片封裝工藝,從而獲得一種高可靠性和自由度、結構簡單、且低成本的芯片封裝產品;這對于積極推動我國電子技術相關產業的發展,提升核心競爭力,都具有極為重要的作用。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提出了一種芯片封裝工藝及產品,其技術方案為:
一種芯片封裝工藝,包括以下步驟:
S1、準備導電金屬箔A、粘接層B及承載片C;
S2、在導電金屬箔上選擇性電鍍形成電極,及,貼合導電金屬箔A,粘接層B和承載片C;
其中:先在導電金屬箔A上選擇性電鍍形成電極,再進行導電金屬箔A、粘接層B和承載片C的貼合;或者先進行導電金屬箔A、粘接層B和承載片C的貼合,后在導電金屬箔A上選擇性電鍍形成電極;
S3、除去沒有被電極保護的導電金屬箔;
S4、在電極上固晶、封膠;
S5、剝離承載片C。
較佳的,其還包括步驟S6、對剝離后加工品的電極底面再次封膠。
較佳的,所述導電金屬箔A為銅箔。
較佳的,所述粘接層B為耐高溫的可剝膠。
較佳的,所述承載片C為金屬,或合成樹脂。
較佳的,步驟S2中,所述選擇性電鍍形成頂電極D及底電極E,該選擇性電鍍采用感光材料曝光顯影、再圖形電鍍的方式,或采用模板掩模電鍍法。
較佳的,所述電極分布為多圈的環形線結構。
較佳的,所述電極為單層金屬材料構成,所述單層金屬包括如下任一或其合金:鋁、金、銀、鎳、銅;或者,所述電極為多層金屬構成,其包括內核金屬和表面金屬構成的多層結構,其中內核金屬和表面金屬包括如下任一或其任意組合:銀、金、鎳、銅。
較佳的,所述電極的縱截面為“T”形結構或“I”形結構。
與上述芯片封裝工藝相應的,還公開了一種芯片封裝產品,所述芯片封裝產品通過上述芯片封裝工藝加工獲得,其具有無基板的電極結構,包括電極、芯片元件、及封裝膠,其中,芯片元件通過固晶形成在電極上,封裝膠對上述電極和芯片元件進行封裝,所述電極嵌入在封裝膠中。
本公開具有以下有益效果:
1、由于采用剝離式封裝載板的加工工藝,制作工藝流程更簡單、更環保,且芯片布線設計也有了更大自由度,后續封裝的效率也獲得了極大提高;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





