[發明專利]一種芯片封裝工藝及產品

有效

• 申請號: 201810606043.2
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN110600382B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 何忠亮;徐光澤;沈正
• 申請（專利權）人: 深圳市鼎華芯泰科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/67;H01L21/683;H01L23/49
• 代理公司: 深圳世科豐專利代理事務所(特殊普通合伙) 44501
• 代理人: 杜啟剛

1.一種芯片封裝工藝，其特征在于：所述工藝包括以下步驟：

S1、準備導電金屬箔A、粘接層B及承載片C；

S2、在導電金屬箔上選擇性電鍍形成電極，及，貼合導電金屬箔A，粘接層B和承載片C；

其中：先在導電金屬箔A上選擇性電鍍形成電極，再進行導電金屬箔A、粘接層B和承載片C的貼合；或者，先進行導電金屬箔A、粘接層B和承載片C的貼合，后在導電金屬箔A上選擇性電鍍形成電極；

S3、除去沒有被電極保護的導電金屬箔；

S4、在電極上固晶、封膠；

S5、剝離承載片C。

2.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，優選的，其還包括步驟S6、對剝離后加工品的電極底面再次封膠。

3.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述導電金屬箔A為銅箔。

4.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述粘接層B為耐高溫的可剝膠。

5.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述承載片C為金屬，或合成樹脂。

6.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：步驟S2中，所述選擇性電鍍形成頂電極D及底電極E，該選擇性電鍍采用感光材料曝光顯影、再圖形電鍍的方式，或采用模板掩模電鍍法。

7.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述電極分布為多圈的環形線結構。

8.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于：所述電極為單層金屬材料構成，所述單層金屬包括如下任一或其合金：鋁、金、銀、鎳、銅；或者，所述電極為多層金屬構成，其包括內核金屬和表面金屬構成的多層結構，其中內核金屬和表面金屬包括如下任一或其任意組合：銀、金、鎳、銅。

9.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述電極的縱截面為“T”形結構或“I”形結構。

10.一種芯片封裝產品，其特征在于，所述芯片封裝產品通過如權利要求1-9中任一項所述的芯片封裝工藝加工獲得，其具有無基板的電極結構，包括電極、芯片元件、及封裝膠，其中，芯片元件通過固晶形成在電極上，封裝膠對上述電極和芯片元件進行封裝，所述電極嵌入在封裝膠中。