[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體外延襯底及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810604023.1
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN109103251A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中丈士
• 申請（專利權(quán)）人: 賽奧科思有限公司;住友化學(xué)株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/02;H01L21/335
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;唐崢

1.氮化物半導(dǎo)體外延襯底，其具備：

襯底，

在所述襯底上形成的、作為存在有二維電子氣的電子渡越層的第一氮化物半導(dǎo)體層，和

在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上形成的作為電子供給層的第二氮化物半導(dǎo)體層，

對于所述第二氮化物半導(dǎo)體層而言，氫濃度為比所述第一氮化物半導(dǎo)體層高的濃度，并且，包含與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的氫濃度差為2×10¹⁸cm^-3以下的部分。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體外延襯底，其中，所述第二氮化物半導(dǎo)體層包含與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的氫濃度差為8×10¹⁷cm^-3以下的部分。

3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體外延襯底，其中，所述第二氮化物半導(dǎo)體層包含與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的氫濃度差為3×10¹⁷cm^-3以上的部分。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體外延襯底，其中，所述第二氮化物半導(dǎo)體層在與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的界面附近具有高氫濃度區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體外延襯底，其中，所述高氫濃度區(qū)域以從與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的界面起算為至少1nm的厚度形成，與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的氫濃度差為3×10¹⁷cm^-3以上。

6.半導(dǎo)體器件，其具備：

權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體外延襯底，和

在所述氮化物半導(dǎo)體外延襯底的上方側(cè)形成的源極、漏極及柵極。