[發明專利]一種電子級硫酸亞錫晶體的制備方法在審
| 申請號: | 201810601312.6 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN108754607A | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發明(設計)人: | 高東瑞;譚澤;黃司平;何為;王翀;陸海彥 | 申請(專利權)人: | 廣東光華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/46 | 分類號: | C30B29/46;C30B7/02;C25B1/00;C25C1/14 |
| 代理公司: | 汕頭市高科專利事務所 44103 | 代理人: | 唐瑞玉 |
| 地址: | 515031 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極 錫板 制備 電子級硫酸 電解液 亞錫 陽極 硫酸亞錫 晶體的 陽極區 高端電子產品 隔膜電解槽 隔膜電解法 電解沉積 電解效果 甲基磺酸 抗氧化劑 硫酸溶液 亞錫離子 陽極位置 真空濃縮 電解槽 陽極泥 保質期 粗錫 電解 裝入 能耗 取出 | ||
本發明提供了一種適用于高端電子產品的電子級硫酸亞錫晶體的制備方法,該方法是先在陽極采用粗錫、陰極采用薄錫板或是隔膜電解法制備硫酸亞錫的陽極殘片、電解液采用含錫和抗氧化劑的甲基磺酸溶液的電解槽中,在溫度為20?40℃、電流密度在0.5A/dm2?5A/dm2下電解沉積陰極錫板;再將陰極錫板裝入隔膜電解槽的陽極位置,陰極采用薄錫板、電解液采用質量濃度為5%?9%的硫酸溶液,在電流密度為1.0A/dm2?2.0A/dm2和25?35℃下進行電解,當陽極區的亞錫離子質量濃度為5%?9%時,將陽極區的電解液取出,真空濃縮和真空干燥后得到電子級硫酸亞錫晶體。本發明的制備方法,能耗低、電解效果高,無陽極泥產生,由該方法制得的硫酸亞錫,純度高、外觀白潔、保質期長且成本低。
技術領域
本發明涉及一種硫酸鹽的制備方法,尤其涉及一種硫酸亞錫的制備方法,更具體是涉及一種適用于高端電子產品的電子級硫酸亞錫晶體的制備方法。
背景技術
硫酸亞錫是錫的重要化合物之一,外觀為白色結晶粉末,能溶于水和稀硫酸,水溶液迅速分解,在空氣中會緩慢氧化變成微黃色。硫酸亞錫的主要用途為PCB電路板、電子插件、馬口鐵鍍錫或是日用品裝飾性電鍍錫合金以及鋁材電解氧化著色,另外隨著環保法規對有害物質限制的要求,在鉛酸蓄電池中硫酸亞錫作為代替鎘的添加劑,其需求量也越來越大。
目前制備硫酸亞錫的成熟工藝有化學合成法和隔膜電解法?;瘜W合成法是以氯化亞錫為原料,先制成氧化亞錫,再用硫酸溶解氧化亞錫,然后蒸發濃縮結晶、干燥得到成品硫酸亞錫,化學合成法由于獲得的硫酸亞錫不但產品純度低,不能達到電子級的質量要求,而且由于工序冗長,跑冒滴漏發生概率較大,錫回收率低,生產成本高,現已基本被淘汰;隔膜電解法是利用離子膜將陰陽極區分開,陽極區金屬錫通電溶解成硫酸亞錫溶液,再將硫酸亞錫溶液經除雜、過濾、濃縮結晶、干燥得到成品硫酸亞錫,由于隔膜電解法具有工藝簡單,反應易控制,反應速度快,生產周期短,所得產品雜質含量較少,后處理簡單等優點,因而是現有制備硫酸亞錫的主流生產工藝。
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