[發明專利]一種LED全彩顯示陣列結構及制備方法在審
| 申請號: | 201810598251.2 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN108962930A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 郭德博;李忠 | 申請(專利權)人: | 南京阿吉必信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司: | 南京常青藤知識產權代理有限公司 32286 | 代理人: | 史慧敏 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市雨*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列基片 全彩顯示 紅光子像素 藍光子像素 綠光子像素 陣列結構 白光 制備 基片背面 顯示陣列 封裝膠 像素點 紅光 藍光 綠光 驅動 | ||
本發明提供一種LED全彩顯示陣列結構及制備方法,包括通過封裝膠疊在一起的LED紅光子像素陣列基片、LED綠光子像素陣列基片和LED藍光子像素陣列基片,所述LED紅光子像素陣列基片、所述LED綠光子像素陣列基片和所述LED藍光子像素陣列基片分別驅動紅光、綠光和藍光全部從基片背面發出并混合成白光形成LED白光顯示陣列。本發明進一步縮小LED全彩顯示像素點距,提高全彩顯示PPI。
技術領域
本發明屬于光電器件技術領域,具體涉及一種LED全彩顯示陣列結構及制備方法。
背景技術
隨著LED芯片制造、集成封裝、顯示控制和工藝技術的不斷進步,高清LED顯示產品將引領LED顯示的發展潮流。LED小間距顯示(Mini-LED)及微小間距顯示(Micro-LED)以其亮度高、整體無拼縫、壽命長、色域廣、響應時間短、大視角等優勢將廣泛用于LED-TV、可穿戴電子、VR、AR等領域,未來將有望成為LCD和OLED有力的競爭對手,迎來爆發式增長。
如何進一步縮小LED全彩顯示屏像素點間距,進一步提高LED全彩顯示屏PPI,是Mini-LED和Micro-LED面臨的難題。目前常用的技術是在PCB板上按列依次固晶紅、綠、藍三種芯片,排成陣列,三個不同顏色的芯片組成一個像素點,通過打金線將芯片的P電極相連形成行控制線電極,將芯片的N電極相連形成列數據線電極,它們均與PCB板上的電路相連,采用逐行掃描驅動方式。
若在一個500um以下的像素點上要擺放紅、綠、藍三顆芯片,芯片的尺寸要小于100um,同時還要留有一定的布線空間。紅、綠、藍芯片要分別經過高精度固晶機擺放到像素點上相應的位置,對設備精度和工藝要求非常高,幾乎不可能實現。制備小于100um的芯片,難點在于晶片的切割以及分選,切割精度誤差大于5um,芯片越小成品率越低。制備出小于100um的分立小芯片非常困難。
在Micro-LED領域(像素點距100um以下),目前采用巨量轉移技術,將wafer上未切割的芯片通過特殊設備批量轉移到顯示面板上,紅、綠、藍依次分別轉移,在顯示面板上形成陣列。這種方法需要特殊的芯片制備工藝以及特殊的轉移設備,難度很大,尙處于研發階段。
發明內容
本發明的目的是提供一種LED全彩顯示陣列結構及制備方法,進一步縮小LED全彩顯示像素點距,提高全彩顯示PPI。
本發明提供了如下的技術方案:
一種LED全彩顯示陣列結構,包括通過封裝膠疊在一起的LED紅光子像素陣列基片、LED綠光子像素陣列基片和LED藍光子像素陣列基片,所述LED紅光子像素陣列基片、所述LED綠光子像素陣列基片和所述LED藍光子像素陣列基片分別驅動紅光、綠光和藍光全部從基片背面發出并混合成白光形成LED白光顯示陣列。
優選的,所述LED紅光子像素陣列基片包括GaAs襯底,所述GaAs襯底上設有紅光LED外延層,所述紅光LED外延層上設有若干同面電極的LED紅光陣列N×M陣列,每一個陣列為一個LED紅光子像素陣列。
優選的,所述LED綠光子像素陣列基片包括包括透明襯底,所述透明襯底上設有綠光LED外延層,所述綠光LED外延層上設有若干N×M陣列,每一個陣列為一個LED綠光子像素陣列。
優選的,所述LED藍光子像素陣列基片包括透明襯底,所述透明襯底上設有藍光LED外延層,所述藍光LED外延層上設有若干N×M陣列,每一個陣列為一個LED藍光子像素陣列。
優選的,所述透明襯底為藍寶石透明襯底。
一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,包括以下步驟:
S1:在藍寶石透明襯底上制備LED藍光子像素陣列基片,藍寶石透明襯底上生長藍光LED外延層,在藍光LED外延層上制備若干N×M陣列,將基片沿陣列切割成若干獨立的LED藍光子像素陣列;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





