[發明專利]一種LED全彩顯示陣列結構及制備方法在審
| 申請號: | 201810598251.2 | 申請日: | 2018-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN108962930A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 郭德博;李忠 | 申請(專利權)人: | 南京阿吉必信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司: | 南京常青藤知識產權代理有限公司 32286 | 代理人: | 史慧敏 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市雨*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列基片 全彩顯示 紅光子像素 藍光子像素 綠光子像素 陣列結構 白光 制備 基片背面 顯示陣列 封裝膠 像素點 紅光 藍光 綠光 驅動 | ||
1.一種LED全彩顯示陣列結構,其特征在于,包括通過封裝膠疊在一起的LED紅光子像素陣列基片、LED綠光子像素陣列基片和LED藍光子像素陣列基片,所述LED紅光子像素陣列基片、所述LED綠光子像素陣列基片和所述LED藍光子像素陣列基片分別驅動紅光、綠光和藍光全部從基片背面發出并混合成白光形成LED白光顯示陣列。
2.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構,其特征在于,所述LED紅光子像素陣列基片包括GaAs襯底,所述GaAs襯底上設有紅光LED外延層,所述紅光LED外延層上設有若干同面電極的LED紅光陣列N×M陣列,每一個陣列為一個LED紅光子像素陣列。
3.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構,其特征在于,所述LED綠光子像素陣列基片包括包括透明襯底,所述透明襯底上設有綠光LED外延層,所述綠光LED外延層上設有若干N×M陣列,每一個陣列為一個LED綠光子像素陣列。
4.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構,其特征在于,所述LED藍光子像素陣列基片包括透明襯底,所述透明襯底上設有藍光LED外延層,所述藍光LED外延層上設有若干N×M陣列,每一個陣列為一個LED藍光子像素陣列。
5.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構,其特征在于,所述透明襯底為藍寶石透明襯底。
6.一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在藍寶石透明襯底上制備LED藍光子像素陣列基片,藍寶石透明襯底上生長藍光LED外延層,在藍光LED外延層上制備若干N×M陣列,將基片沿陣列切割成若干獨立的LED藍光子像素陣列;
S2:在藍寶石透明襯底上制備LED綠光子像素陣列基片,藍寶石透明襯底上生長綠光LED外延層,在綠光LED外延層上制備若干N×M陣列,將基片沿陣列切割成若干獨立的LED綠光子像素陣列;
S3:制備LED紅光子像素陣列基片,在GaAs襯底上生長紅光LED外延層,制備若干同面電極的LED紅光陣列N×M陣列,然后將紅光陣列與GaAs襯底分離,將紅光陣列轉移到藍寶石透明襯底上,將基片割成若干獨立的LED紅光子像素陣列;
S4:對上述三種顏色的子像素陣列基片,在陣列基片的邊緣電極里面涂覆一圈封裝膠,將三種基片以藍、綠、紅的順序依次對準疊放,適當加壓后放入烘箱固化封裝膠;
S5:對上述基片邊緣的電極加入驅動和控制信號,紅、綠、藍三種顏色的光疊加全部從基片背面發出并混合成白光實現全彩顯示。
7.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,其特征在于,所述S1和S2中制備若干N×M陣列均采用LED倒裝芯片工藝,每行的P電極連接在一起形成陣列的行控制線,每列的N電極連接在一起形成陣列的列數據線。
8.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,其特征在于,所述S3中制備LED紅光陣列N×M陣列采用LED倒裝芯片工藝,每行的P電極連接在一起形成陣列的行控制線,每列的N電極連接在一起形成陣列的列數據線,然后采用剝離工藝將紅光陣列與GaAs襯底分離,將紅光陣列轉移到藍寶石透明襯底上。
9.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,其特征在于,所述S4中的封裝膠為環氧樹脂膠或硅膠。
10.根據權利要求1所述的一種LED全彩顯示陣列結構的制備方法,其特征在于,所述S5中對基片邊緣的電極加入驅動和控制信號,藍LED藍光子像素陣列基片的背面作為全彩顯示屏的正面,實現全彩顯示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





